6,13-dihydroxy-2,3-dipropylpentacene | 916587-77-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 并四苯
• 英文名称: 6,13-dihydroxy-2,3-dipropylpentacene
• 英文别名: 6,13-Dihydro-6,13-dihydroxy-2,3-dipropylpentacene；2,3-dipropyl-6,13-dihydropentacene-6,13-diol
• CAS: 916587-77-4
• 化学式: C₂₈H₂₈O₂
• 分子量: 396.529
• InChiKey: CYULYNJNLWQFCA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.8
• 重原子数：
  30
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  6,13-dihydroxy-2,3-dipropylpentacene 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 二甲基硫 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 18.0h， 以15%的产率得到6,13-dibromo-2,3-dipropylpentacene
  参考文献：
  名称：

  EP1719749

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  2,3-dipropyl-6,13-pentacenequinone 在 三乙基硼氢化锂 、 盐酸 、 水 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 20.0h， 以100%的产率得到6,13-dihydroxy-2,3-dipropylpentacene
  参考文献：
  名称：

  EP1719749

  摘要：

  公开号：

文献信息

• Polyacene Compound And Organic Semiconductor Thin Film
  申请人：Nagata Kazuto

  公开号：US20080061287A1

  公开（公告）日：2008-03-13

  The present invention provides an organic semiconductor material which exhibits a high mobility, and excellent solubility in solvents and oxidation resistance. The present invention also provides an organic semiconductor thin film exhibiting a high mobility, and an organic semiconductor device exhibiting excellent electronic characteristics. A transistor structure is formed by coating the silicon substrate with a thin film of pentacene compound substituted halogens at 6 and 13 positions and aliphatic hydrocarbons at 2, 3, 9 and 10 positions, wherein the substrate is patterned beforehand with gold to have a source and drain electrodes.

  本发明提供了一种有机半导体材料，具有高迁移率、良好的溶解性和抗氧化性。本发明还提供了一种具有高迁移率的有机半导体薄膜和具有优异电子特性的有机半导体器件。晶体管结构通过在硅基底上涂覆取代卤素的五环芘化合物薄膜，在2、3、9和10位置涂覆脂肪族烃，其中底板事先用金图案制成源和漏极电极。
• Polyacene compound and organic semiconductor thin film
  申请人：Asahi Kasei Corporation

  公开号：US08110714B2

  公开（公告）日：2012-02-07

  The present invention provides an organic semiconductor material which exhibits a high mobility, and excellent solubility in solvents and oxidation resistance. The present invention also provides an organic semiconductor thin film exhibiting a high mobility, and an organic semiconductor device exhibiting excellent electronic characteristics. A transistor structure is formed by coating the silicon substrate with a thin film of pentacene compound substituted halogens at 6 and 13 positions and aliphatic hydrocarbons at 2, 3, 9 and 10 positions, wherein the substrate is patterned beforehand with gold to have a source and drain electrodes.

  本发明提供了一种有机半导体材料，具有高迁移率、良好的溶解性和氧化抗性。本发明还提供了一种具有高迁移率的有机半导体薄膜和具有优异电学特性的有机半导体器件。通过在硅衬底上涂覆取代卤素的五环芘化合物和取代位置为2、3、9和10的脂肪烃的薄膜，形成晶体管结构，在此之前，衬底已经通过金制成源和漏电极的图案。
• POLYACENE COMPOUND AND ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM
  申请人：NAGATA Kazuto

  公开号：US20120108850A1

  公开（公告）日：2012-05-03

  The present invention provides an organic semiconductor material which exhibits a high mobility, and excellent solubility in solvents and oxidation resistance. The present invention also provides an organic semiconductor thin film exhibiting a high mobility, and an organic semiconductor device exhibiting excellent electronic characteristics. A transistor structure is formed by coating the silicon substrate with a thin film of pentacene compound substituted halogens at 6 and 13 positions and aliphatic hydrocarbons at 2, 3, 9 and 10 positions, wherein the substrate is patterned beforehand with gold to have a source and drain electrodes.

  本发明提供了一种有机半导体材料，具有高迁移率、良好的溶解性和氧化抗性。本发明还提供了一种具有高迁移率的有机半导体薄膜和具有优异电子特性的有机半导体器件。通过在硅衬底上涂覆取代卤素的五环芘化合物薄膜和2、3、9和10位脂肪族烃的薄膜，形成晶体管结构，其中衬底预先用金进行图案处理以具有源和漏极电极。
• US8110714B2
  申请人：——

  公开号：US8110714B2

  公开（公告）日：2012-02-07
• US8236998B2
  申请人：——

  公开号：US8236998B2

  公开（公告）日：2012-08-07