((3-bromobenzo[b]thiophen-7-yl)ethynyl)triisopropylsilane | 1201916-97-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: ((3-bromobenzo[b]thiophen-7-yl)ethynyl)triisopropylsilane
• CAS: 1201916-97-3
• 化学式: C₁₉H₂₅BrSSi
• 分子量: 393.463
• InChiKey: WABMHFMJOZLAGA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.23
• 重原子数：
  22.0
• 可旋转键数：
  3.0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.47
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  ((3-bromobenzo[b]thiophen-7-yl)ethynyl)triisopropylsilane 、 Decylmagnesium bromide 在 1,3-bis[(diphenylphosphino)propane]dichloronickel(II) 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 以85%的产率得到((3-decylbenzo[b]thiophen-7-yl)ethynyl)triisopropylsilane
  参考文献：
  名称：

  Synthesis, properties, and FET performance of rectangular oligothiophene

  摘要：

  通过 Eglinton-Galbraith 偶联反应，成功合成了在角位置含有苯并噻吩单元的新型矩形低聚噻吩。这种低聚物可溶解于常见的有机溶剂中，因此成为可溶液加工的半导体材料的候选材料。我们将环状低聚物的电子吸收和电化学特性与相应的线性成分进行了比较。此外，还比较了其氧化物的特性。利用其旋涂膜制造的有机场效应晶体管显示出典型的 p 型特性，并实现了高达 7.3 × 10-3 cm2V-1 s-1 的良好空穴迁移率，导通/关断电流比为 2.0 × 108，阈值电压为 -7 V。

  DOI：

  10.1039/b912744e
• 作为产物：
  描述：

  3-bromo-7-iodobenzo[b]thiophene 、 三异丙基硅基乙炔 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 、 三乙胺 作用下， 以99%的产率得到((3-bromobenzo[b]thiophen-7-yl)ethynyl)triisopropylsilane
  参考文献：
  名称：

  Synthesis, properties, and FET performance of rectangular oligothiophene

  摘要：

  通过 Eglinton-Galbraith 偶联反应，成功合成了在角位置含有苯并噻吩单元的新型矩形低聚噻吩。这种低聚物可溶解于常见的有机溶剂中，因此成为可溶液加工的半导体材料的候选材料。我们将环状低聚物的电子吸收和电化学特性与相应的线性成分进行了比较。此外，还比较了其氧化物的特性。利用其旋涂膜制造的有机场效应晶体管显示出典型的 p 型特性，并实现了高达 7.3 × 10-3 cm2V-1 s-1 的良好空穴迁移率，导通/关断电流比为 2.0 × 108，阈值电压为 -7 V。

  DOI：

  10.1039/b912744e