triethyl-octadec-9c-enyl-ammonium; bromide | 64875-22-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: triethyl-octadec-9c-enyl-ammonium; bromide
• 英文别名: Triaethyl-octadec-9c-enyl-ammonium; Bromid；Oleyltriethylammonium bromide；triethyl-[(Z)-octadec-9-enyl]azanium;bromide
• CAS: 64875-22-5
• 化学式: Br*C₂₄H₅₀N
• 分子量: 432.572
• InChiKey: CEMJOCCEUXYCJH-YFKNTREVSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.9
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  19
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.92
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三乙胺 、 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 生成 triethyl-octadec-9c-enyl-ammonium; bromide
  参考文献：
  名称：

  Gruger, 1957, vol. 19, # 4, p. ,S.18,22

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Method for manufacturing metal line contact plugs for semiconductor devices
  申请人：——

  公开号：US20040009655A1

  公开（公告）日：2004-01-15

  A method for manufacturing a metal line contact plug of a semiconductor device is disclosed. A stable landing plug poly is formed by etching an interlayer insulating film by using a CMP (chemical mechanical polishing) slurry for an oxide film that includes an alkyl ammonium salt having a high affinity to the oxide film without damaging the hard mask nitride film.

  本发明公开了一种制造半导体器件金属线接触插头的方法。通过对氧化膜使用 CMP（化学机械抛光）浆料蚀刻层间绝缘膜，形成稳定的着陆插头聚合物，该浆料包括对氧化膜具有高亲和力的烷基铵盐，而不会损坏硬掩膜氮化膜。
• EHPSHTEJN A. E.; LIMANOV V. E.; SKVORTSOVA E. K., XIM.-FARMATSEVT. ZH., 1977, 11, HO 9,
  作者：EHPSHTEJN A. E.、 LIMANOV V. E.、 SKVORTSOVA E. K.

  DOI：——

  日期：——
• Gruger, 1957, vol. 19, # 4, p. ,S.18,22
  作者：Gruger

  DOI：——

  日期：——