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4,5-dibromo-2,7-bis(2-octyldodecyl)-10-(thiophen-2-yl)benzo[lmn]thiazolo[4,5-f][3,8]phenanthroline-1,3,6,8(2H,7H)-tetraone | 1439917-58-4

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
4,5-dibromo-2,7-bis(2-octyldodecyl)-10-(thiophen-2-yl)benzo[lmn]thiazolo[4,5-f][3,8]phenanthroline-1,3,6,8(2H,7H)-tetraone
英文别名
——
4,5-dibromo-2,7-bis(2-octyldodecyl)-10-(thiophen-2-yl)benzo[lmn]thiazolo[4,5-f][3,8]phenanthroline-1,3,6,8(2H,7H)-tetraone化学式
CAS
1439917-58-4
化学式
C59H85Br2N3O4S2
mdl
——
分子量
1124.28
InChiKey
XOMPSORLTDYLNW-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    19.69
  • 重原子数:
    70.0
  • 可旋转键数:
    37.0
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.68
  • 拓扑面积:
    87.65
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    7.0

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    4,5-dibromo-2,7-bis(2-octyldodecyl)-10-(thiophen-2-yl)benzo[lmn]thiazolo[4,5-f][3,8]phenanthroline-1,3,6,8(2H,7H)-tetraone 、 2-(2,4-dithia-1,5-disodapentan-3-ylidene)propanedinitrile 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 1.0h, 以71%的产率得到2-[9,19-Bis(2-octyldodecyl)-8,10,18,20-tetraoxo-14-thiophen-2-yl-3,5,13-trithia-9,15,19-triazahexacyclo[9.9.2.02,6.07,22.012,16.017,21]docosa-1,6,11,14,16,21-hexaen-4-ylidene]propanedinitrile
    参考文献:
    名称:
    用于空气稳定溶液加工的有机n型半导体的具有不同官能团的新型核扩展的萘二酰亚胺†
    摘要:
    在已报道的有机n型半导体中,萘二酰亚胺(NDI)衍生物受到越来越多的关注。在本文中,我们报告了四种非对称核心扩展NDI衍生物1-4。电化学,吸收光谱和理论计算研究表明,未取代的LUMO能量1-4低于母体NDI的能量。采用传统技术制造的基于1-4薄膜的OFET器件很容易进行固溶处理,并且显示出n型半导体特性。此外,通过对薄膜进行退火处理,可以显着提高1-4的OFET器件的性能。3的OFET表现出的电子迁移率高达0.17 cm 2退火后,V -1 s -1具有高的开/关比(在环境条件下)。
    DOI:
    10.1039/c3nj00050h
  • 作为产物:
    描述:
    噻吩-2-硫代甲酰胺4,5,9,10-四溴-2,7-二(2-辛基十二烷基)苯并[lmn][3,8]菲咯啉-1,3,6,8(2H,7H)-四酮乙醇 为溶剂, 反应 8.0h, 以76%的产率得到4,5-dibromo-2,7-bis(2-octyldodecyl)-10-(thiophen-2-yl)benzo[lmn]thiazolo[4,5-f][3,8]phenanthroline-1,3,6,8(2H,7H)-tetraone
    参考文献:
    名称:
    用于空气稳定溶液加工的有机n型半导体的具有不同官能团的新型核扩展的萘二酰亚胺†
    摘要:
    在已报道的有机n型半导体中,萘二酰亚胺(NDI)衍生物受到越来越多的关注。在本文中,我们报告了四种非对称核心扩展NDI衍生物1-4。电化学,吸收光谱和理论计算研究表明,未取代的LUMO能量1-4低于母体NDI的能量。采用传统技术制造的基于1-4薄膜的OFET器件很容易进行固溶处理,并且显示出n型半导体特性。此外,通过对薄膜进行退火处理,可以显着提高1-4的OFET器件的性能。3的OFET表现出的电子迁移率高达0.17 cm 2退火后,V -1 s -1具有高的开/关比(在环境条件下)。
    DOI:
    10.1039/c3nj00050h
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