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Oxidosilicon(1+) | 12359-18-1

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Oxidosilicon(1+)
英文别名
oxosilicon(1+)
Oxidosilicon(1+)化学式
CAS
12359-18-1
化学式
OSi
mdl
——
分子量
44.0849
InChiKey
PWVRFXMLYJICKR-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -0.5
  • 重原子数:
    2
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    17.1
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Oxidosilicon(1+)一氧化二氮 以 gas 为溶剂, 生成 、 氮气
    参考文献:
    名称:
    Gas-phase oxidation and sulphidation of Si+(2P), SiO+ and SiS+
    摘要:
    DOI:
    10.1039/f29898501643
  • 作为产物:
    描述:
    硅烷氧气 作用下, 生成 Oxidosilicon(1+)
    参考文献:
    名称:
    氧气中激光烧蚀Si产生的SiO+离子的形成和激光诱导荧光研究
    摘要:
    我们研究了在氧气环境气体中激光烧蚀 Si 晶片产生的 SiO+ 的激光诱导荧光 (LIF) 光谱。在激光诱导的等离子体羽流中还研究了中性和离子种类的 Si 原子和 SiO 分子的发射。发现分子离子形成的最佳氧压为~120 mTorr。SiO+ 离子的旋转温度显示出在 20 μs 内向室温快速热化。
    DOI:
    10.1063/1.119750
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文献信息

  • Shornikov; Archakov; Shul'ts, Russian Journal of General Chemistry, 2000, vol. 70, # 3, p. 360 - 370
    作者:Shornikov、Archakov、Shul'ts
    DOI:——
    日期:——
  • Gas-phase oxidation and sulphidation of Si+(2P), SiO+ and SiS+
    作者:Stanislaw Wlodek、Diethard K. Bohme
    DOI:10.1039/f29898501643
    日期:——
  • Formation and laser-induced-fluorescence study of SiO+ ions produced by laser ablation of Si in oxygen gas
    作者:Yukari Matsuo、Takashi Nakajima、Tohru Kobayashi、Michio Takami
    DOI:10.1063/1.119750
    日期:1997.8.25
    We have studied laser-induced-fluorescence (LIF) spectra of SiO+ produced by laser ablation of a Si wafer in oxygen ambient gas. Emission from neutral and ionic species of Si atoms and SiO molecules is also studied in the laser-induced plasma plume. The optimum oxygen pressure for the formation of molecular ions is found to be ∼120 mTorr. The rotational temperature of SiO+ ions shows rapid thermalization
    我们研究了在氧气环境气体中激光烧蚀 Si 晶片产生的 SiO+ 的激光诱导荧光 (LIF) 光谱。在激光诱导的等离子体羽流中还研究了中性和离子种类的 Si 原子和 SiO 分子的发射。发现分子离子形成的最佳氧压为~120 mTorr。SiO+ 离子的旋转温度显示出在 20 μs 内向室温快速热化。
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