Ga(azide)3(NEt3) | 184949-73-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: Ga(azide)3(NEt3)
• 英文别名: gallium;N,N-diethylethanamine;triazide
• CAS: 184949-73-3
• 化学式: C₆H₁₅GaN₁₀
• 分子量: 296.975
• InChiKey: PWJLNGHZXYYPSD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.57
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  12.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Ga(azide)3(NEt3) 以 neat (no solvent) 为溶剂， 以92%的产率得到gallium nitride
  参考文献：
  名称：

  Detonations of Gallium Azides:  A Simple Route to Hexagonal GaN Nanocrystals

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja9738438
• 作为产物：
  描述：

  、 三乙胺 以 甲苯 为溶剂， 以97.3%的产率得到Ga(azide)3(NEt3)
  参考文献：
  名称：

  (N3)2Ga[(CH2)3NMe2], (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 和 (N3)3Ga(NR3) 的合成和结构 (R = CH3, C2H5)

  摘要：

  分子内加合物稳定的有机镓双叠氮化物 (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] (1)、单叠氮化物 (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 (2) 的合成、性质和 X 射线单晶结构分析) 和 (N3)3Ga(NR3)（3a-d；R = 烷基）类型的三叠氮镓的三烷基胺加合物。描述了化合物 1 的一种不寻常的异构体 1b，它是通过将分析纯的纯液体化合物 1 缓慢冷却至 0 °C 获得的。新的和不寻常的结构 1b 可以被视为通过头对尾叠氮桥连接在一起的二聚体的弱缔合。相比之下，化合物 2 和 3a-b（R = CH3，C2H5）在固态下是单体。比较了挥发性化合物 1 和 2 作为单源前体通过化学气相沉积生长 GaN 薄膜的适用性，表明可以在 600-700°C 真空（0.1 Pa）下从蓝宝石衬底上的化合物 2 获得优先取向的晶体薄膜。然而，薄膜具有灰色而不是透明的外观，这可能是由于单分子前体 2 的

  DOI：

  10.1002/(sici)1099-0682(199912)1999:12<2127::aid-ejic2127>3.0.co;2-n

文献信息

• Synthesis and Structures of (N3)2Ga[(CH2)3NMe2], (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 and (N3)3Ga(NR3) (R = CH3, C2H5)
  作者：Anjana Devi、Harald Sussek、Hans Pritzkow、Manuela Winter、Roland A. Fischer

  DOI：10.1002/(sici)1099-0682(199912)1999:12<2127::aid-ejic2127>3.0.co;2-n

  日期：1999.12

  The synthesis, properties and X-ray single crystal structure analysis of the intramolecularly adduct-stabilised organogallium bisazide (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] (1), the mono azide (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 (2) and the trialkylamine adducts of triazidogallium of the type (N3)3Ga(NR3) (3a–d; R = alkyl) are reported. An unusual isomer 1b of compound 1 is described, which was obtained by slow cooling of the analytically

  分子内加合物稳定的有机镓双叠氮化物 (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] (1)、单叠氮化物 (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 (2) 的合成、性质和 X 射线单晶结构分析) 和 (N3)3Ga(NR3)（3a-d；R = 烷基）类型的三叠氮镓的三烷基胺加合物。描述了化合物 1 的一种不寻常的异构体 1b，它是通过将分析纯的纯液体化合物 1 缓慢冷却至 0 °C 获得的。新的和不寻常的结构 1b 可以被视为通过头对尾叠氮桥连接在一起的二聚体的弱缔合。相比之下，化合物 2 和 3a-b（R = CH3，C2H5）在固态下是单体。比较了挥发性化合物 1 和 2 作为单源前体通过化学气相沉积生长 GaN 薄膜的适用性，表明可以在 600-700°C 真空（0.1 Pa）下从蓝宝石衬底上的化合物 2 获得优先取向的晶体薄膜。然而，薄膜具有灰色而不是透明的外观，这可能是由于单分子前体 2 的
• Detonations of Gallium Azides:  A Simple Route to Hexagonal GaN Nanocrystals
  作者：Alissa C. Frank、Frank Stowasser、Harald Sussek、Hans Pritzkow、Claudio R. Miskys、Oliver Ambacher、Michael Giersig、Roland A. Fischer

  DOI：10.1021/ja9738438

  日期：1998.4.1