1,1-dicyano-2-(trifluoromethyl)-2-(difluoromethyl)ethylene | 439913-54-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 1,1-dicyano-2-(trifluoromethyl)-2-(difluoromethyl)ethylene
• 英文别名: 1-trifluoromethyl-1-difluoromethyl-2,2-dicyanoethylene；2-(1,1,1,3,3-Pentafluoropropan-2-ylidene)propanedinitrile
• CAS: 439913-54-9
• 化学式: C₆HF₅N₂
• 分子量: 196.079
• InChiKey: RBICLFYEDLXKIM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  47.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-氨基-5-甲基吡唑 、 1,1-dicyano-2-(trifluoromethyl)-2-(difluoromethyl)ethylene 以 乙醚 为溶剂， 反应 12.0h， 以73%的产率得到7-Amino-5-difluoromethyl-2-methyl-5-trifluoromethyl-4,5-dihydro-pyrazolo[1,5-a]pyrimidine-6-carbonitrile
  参考文献：
  名称：

  CF 2 H-和CF 2 Cl-取代的1,1-二氰基乙烯的合成及一些杂环化反应

  摘要：

  通过将多氟酮与丙二腈缩合，然后使用亚硫酰氯（或磷）脱水，合成了新的1，1-二氰基-2,2-双（三氟甲基）乙烯（1）（X = H，Cl）的CF 2 X-类似物五氧化物）。系统地研究了1,1-二氰基-2,2-双（三氟甲基）乙烯与s，5-氨基吡唑和3-甲基-2-吡唑啉-5-酮的新CF 2 X-类似物的杂环化反应。

  DOI：

  10.1016/s0022-1139(01)00559-0
• 作为产物：
  描述：

  2-(1-Difluoromethyl-2,2,2-trifluoro-1-hydroxy-ethyl)-malononitrile 在 phosphorus pentoxide 作用下， 以4.3 g的产率得到1,1-dicyano-2-(trifluoromethyl)-2-(difluoromethyl)ethylene
  参考文献：
  名称：

  CF 2 H-和CF 2 Cl-取代的1,1-二氰基乙烯的合成及一些杂环化反应

  摘要：

  通过将多氟酮与丙二腈缩合，然后使用亚硫酰氯（或磷）脱水，合成了新的1，1-二氰基-2,2-双（三氟甲基）乙烯（1）（X = H，Cl）的CF 2 X-类似物五氧化物）。系统地研究了1,1-二氰基-2,2-双（三氟甲基）乙烯与s，5-氨基吡唑和3-甲基-2-吡唑啉-5-酮的新CF 2 X-类似物的杂环化反应。

  DOI：

  10.1016/s0022-1139(01)00559-0

文献信息

• Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures
  申请人：American Air Liquide, Inc.

  公开号：US10256109B2

  公开（公告）日：2019-04-09

  A method for etching silicon-containing films is disclosed. The method includes the steps of introducing a vapor of a nitrogen containing etching compound into a reaction chamber containing a silicon-containing film on a substrate, wherein the nitrogen containing etching compound is an organofluorine compound containing at least one C≡N or C═N functional group; introducing an inert gas into the reaction chamber; and activating a plasma to produce an activated nitrogen containing etching compound capable of etching the silicon-containing film from the substrate.

  本发明公开了一种蚀刻含硅薄膜的方法。该方法包括以下步骤：将含氮蚀刻化合物的蒸汽引入含有基底上含硅薄膜的反应室，其中含氮蚀刻化合物是一种有机氟化合物，含有至少一个C≡N或C═N官能团；将惰性气体引入反应室；以及激活等离子体，以产生能够从基底蚀刻含硅薄膜的活化含氮蚀刻化合物。
• NITROGEN-CONTAINING COMPOUNDS FOR ETCHING SEMICONDUCTOR STRUCTURES
  申请人：L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

  公开号：EP3345211A1

  公开（公告）日：2018-07-11
• US9659788B2
  申请人：——

  公开号：US9659788B2

  公开（公告）日：2017-05-23
• [EN] NITROGEN-CONTAINING COMPOUNDS FOR ETCHING SEMICONDUCTOR STRUCTURES<br/>[FR] COMPOSÉS AZOTÉS DESTINÉS À GRAVER DES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2017040518A1

  公开（公告）日：2017-03-09

  A method for etching silicon-containing films is disclosed. The method includes the steps of introducing a vapor of a nitrogen containing etching compound into a reaction chamber containing a silicon-containing film on a substrate, wherein the nitrogen containing etching compound is an organofluorine compound containing at least one C≡N or C=N functional group; introducing an inert gas into the reaction chamber; and activating a plasma to produce an activated nitrogen containing etching compound capable of etching the silicon-containing film from the substrate.