含
硅氧烷的材料是一类重要的有机-无机杂化材料。在该报告中,提出了一种实际的Suzuki聚合方法,以产生基于
硅氧烷单元的半导体聚合物杂化体,该杂化体基本上在非碱性条件下进行。此方法生成溶液加工聚(diketopyrrolopyrrole- ALT -benzothiadiazole)(P
DPPBT-Si)的组成混合的
硅氧烷取代基,其不能使用常规的方法来制备的。P
DPPBT-Si具有出色的双极性晶体管性能,且空穴和电子FET迁移率均衡。通过这种方法合成的含
硅氧烷的
DPP-
噻吩聚合物类(P
DPP3T-Si和P
DPP4T-Si)具有高达1.29 cm 2 V -1的高空穴迁移率 s -1。通过使用各种芳基二卤化物和芳基二
硼酸/酯,这种合成方法应可提供使用各种新颖的含
硅氧烷共轭半导体种类的途径。