聚(亚乙撑亚
乙烯基)(
PTV)是一类独特的低带隙共轭聚合物,由于常规合成方法的局限性,使得它们无法生产超出基本形式的
PTV结构,因此在有机电子应用中受到的关注相对较少。我们在这里报告了一种简便的合成方法,结合了无环二烯复分解(A
DMET)和聚合后修饰反应,朝着一系列结构多样的
PTV迈进了一步。具体地,沿着
PTV主链,在每个
噻吩单元上安装了卤素取代基,包括F,Cl,Br和I,以及带有不同取代基的共轭
噻吩基。尽管卤素取代降低了聚合物的HOMO和LUMO能级,但总体光学性能与传统的未取代
PTV相似。另一方面,随着卤原子尺寸的增加,由密度位阻理论(DFT)计算所建议并由X射线衍射(XRD)和吸收测量所证实,由位阻引起的主链非平面性引起的聚合物结晶度降低。有了交叉共轭的
噻吩基侧链,由于主链和侧链
噻吩基环之间的二面角大,
PTV聚合物都是无定形的。然而,在侧链
噻吩环上连接了强吸电子基团后,观察到位于较低