2,2-二丙基丙二腈 | 54947-15-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 中文名称: 2,2-二丙基丙二腈
• 英文名称: di-n-propylmalononitrile
• 英文别名: Dipropylpropanedinitrile；2,2-dipropylpropanedinitrile
• CAS: 54947-15-8
• 化学式: C₉H₁₄N₂
• 分子量: 150.224
• InChiKey: DLMDEWXADQQCBG-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  260.9±13.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.916±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.6
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.78
• 拓扑面积：
  47.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2-二丙基丙二腈 在 zinc trifluoromethanesulfonate 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 48.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  手性路易斯酸催化 N-乙烯基咔唑的立体选择性螺旋-有义选择性阳离子聚合

  摘要：

  具有明确主链阻转异构构象的螺旋聚合物是非线性光学和手性分离等高价值应用中的重要材料。目前，不存在用于前手性乙烯基单体的阳离子螺旋有义选择性聚合的方法，这限制了获得许多具有潜在价值的光学活性螺旋聚合物的途径。在这里，我们展示了前手性乙烯基单体的第一个立体选择性阳离子螺旋-有义选择性聚合，它提供了获得聚（N-乙烯基咔唑）光学活性螺旋的途径。手性双（恶唑啉）-钪路易斯酸作为手性抗衡离子将N-乙烯基咔唑聚合成高度全同立构（高达 94%内消旋三元组）聚合物。机械研究揭示了负责独立控制构象（即螺旋度）和构型（即立构规整度）立体化学的独特现象。聚合物螺旋度受第一个单体增长的立体选择性的强烈影响，而聚合物立构规整度则由增长的聚合物链端的热力学控制构象决定。总的来说，这种方法通过螺旋有义选择性聚合扩展了可获得的螺旋聚合物的范围，并提供了关于如何独立控制聚合物立构规整度和螺旋度的机制洞察。

  DOI：

  10.1021/jacs.2c02738
• 作为产物：
  描述：

  alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 在 磷酸酐 作用下， 生成 2,2-二丙基丙二腈
  参考文献：
  名称：

  Errera; Berte, Gazzetta Chimica Italiana, 1896, vol. 26 II, p. 222

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Molecular tectonics: control of packing of hybrid 1-D and 2-D H-bonded molecular networks formed between bisamidinium dication and cyanometallate anions
  作者：Pierre Dechambenoit、Sylvie Ferlay、Mir Wais Hosseini、Jean-Marc Planeix、Nathalie Kyritsakas

  DOI：10.1039/b606265m

  日期：——

  Upon combining the dicationic bis-amidinium tecton 2 bearing four propyl chains with tetra- and hexa-cyanometallate anions neutral 1- and 2-D hybrid networks were obtained. In the case of [M(CN)4]2− (M = Ni(II), Pd(II) and Pt(II)), the control of the spacing between consecutive 1-D H-bonded networks by the presence of the propyl chains was demonstrated. For [M(CN)6]3− (M = Fe(III), Co(III), Cr(III)), 2-D networks presenting hexagonal channels have been obtained. In marked contrast with the case based on the use of 1 for which channels are filled with water molecules, in the case of 2, as expected, the solvent molecules were replaced by propyl chains.

  将带有四条丙基链的二阳离子双脒构造子 2 与四氰基和六氰基金属阴离子结合后，得到了中性的一维和二维混合网络。在[M(CN)4]2-（M = Ni(II)、Pd(II) 和 Pt(II)）的情况下，丙基链的存在证明了对连续一维 H 键网络间距的控制。对于 [M(CN)6]3-（M = Fe(III)、Co(III)、Cr(III)），得到了呈现六边形通道的二维网络。在使用 1 的情况下，通道中充满了水分子，与此形成鲜明对比的是，在使用 2 的情况下，正如预期的那样，溶剂分子被丙基链取代。
• Iron–sulfur dimers with benzimidazolate–thiolate, –phenolate or bis(benzimidazolate) terminal chelating ligands. Models for Rieske-type proteins
  作者：Peter Beardwood、John F. Gibson

  DOI：10.1039/dt9920002457

  日期：——

  The first reduction processes for 1–4 occur at potentials in the range –0.82 to –1.13 V. The positive shift produced by benzimidazolate co-ordination compared to thiolate is comparable to that for the Rieske-type proteins relative to tetracysteinyl ferredoxins. Benzimidazolate co-ordination is also found considerably to stabilise the trianionic chemical reduction products. These display frozen-solution

  配合物的[Fe 2小号2大号2 ] 2- 1-5具有以L配位体终端协调1 -L 5已经制备和研究了一系列的物理技术如型号为Rieske型蛋白[H 2大号1 = 2-（2-巯基苯基）苯并咪唑; H 2 L 2＝ 2-（2-羟苯基）苯并咪唑；H 2 L 3＝ 2-（2-羟苯基）甲基苯并咪唑；H 2 L 4＝ 2，2-双（苯并咪唑-2-基）丙烷；H 2 L 4＝ 1。ħ 2大号5＝ 4，4-双（苯并咪唑-2-基）庚烷]。描述了[NEt 4 ] 3 [Fe 2 S 2 L 4 2 ] 6的制备方法，该方法是要分离的第一个[2Fe-2S] +还原络合物。该复合物已通过UV / VIS，1 H NMR和Mössbauer光谱学进行了表征。铁（II）–铁（III）配合物6的1 H NMR谱中缺乏不均一性，显示化合价。在莫斯鲍尔（Mössbauer）时间尺度上，随着温度的降低，复合物变成化合价。1-4的第
• CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND WAFER CLEANING COMPOSITION COMPRISING AMIDOXIME COMPOUNDS AND ASSOCIATED METHOD FOR USE
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20090130849A1

  公开（公告）日：2009-05-21

  A composition and associated method for chemical mechanical planarization (or other polishing) is described. The composition contains an amidoxime compound and water. The composition may also contain an abrasive and a compound with oxidation and reduction potential. The composition is useful for attaining improved removal rates for metal, including copper, barrier material, and dielectric layer materials in metal CMP. The composition is particularly useful in conjunction with the associated method for metal CMP applications.

  本文描述了一种化学机械平整化（或其他抛光）的组合物及其相关方法。该组合物含有一种酰胺肟化合物和水。该组合物还可以含有磨料和具有氧化还原潜力的化合物。该组合物可用于在金属CMP中获得改进的金属去除速率，包括铜、屏障材料和金属CMP中的介电层材料。该组合物在金属CMP应用的相关方法中特别有用。
• METHODS OF CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES AT THE BACK END OF LINE USING AMIDOXIME COMOSITIONS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100043823A1

  公开（公告）日：2010-02-25

  The present invention relates to aqueous compositions comprising amidoxime compounds and methods for cleaning plasma etch residue from semiconductor substrates including such dilute aqueous solutions. The compositions of the invention may optionally contain one or more other acid compounds, one or more basic compounds, and a fluoride-containing compound and additional components such as organic solvents, chelating agents, amines, and surfactants. The invention also relates to a method of removing residue from a substrate during integrated circuit fabrication.

  本发明涉及含有酰胺肟化合物的水性组合物及其清洗半导体衬底上等离子体刻蚀残留物的方法，包括这种稀释的水性溶液。本发明的组合物可以选择性地含有一种或多种其他酸性化合物、一种或多种碱性化合物、含氟化合物和其他成分，如有机溶剂、螯合剂、胺和表面活性剂。本发明还涉及一种在集成电路制造过程中从衬底上去除残留物的方法。
• COMPOSITION COMPRISING CHELATING AGENTS CONTAINING AMIDOXIME COMPOUNDS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100105595A1

  公开（公告）日：2010-04-29

  The present invention is a novel aqueous cleaning solution for use in semiconductor front end of the line (FEOL) manufacturing process wherein the cleaning solution comprises at least one amidoxime compound.

  本发明是一种用于半导体前端制造过程中的新型水性清洗溶液，其中清洗溶液包含至少一种酰胺肟化合物。