Cobalt, tetracarbonylsilyl- | 14652-62-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: Cobalt, tetracarbonylsilyl-
• CAS: 14652-62-1
• 化学式: C₄H₃CoO₄Si
• 分子量: 202.144
• InChiKey: GNLQHEYIJVVRMJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Cobalt, tetracarbonylsilyl- 在 氨 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 disilylamine
  参考文献：
  名称：

  硅过渡金属化合物。第三部分 甲硅烷基四羰基钴和甲硅烷基五羰基锰与氮和磷的路易斯碱的反应

  摘要：

  甲硅烷基四羰基钴和甲硅烷基五羰基锰与三甲胺和吡啶（py）形成1：2加合物，与2，2′-联吡啶（bipy）形成1：1加合物。推断出其稳定性可能存在以下顺序：SiH 3 Co（CO）4 > SiH 3 Mn（CO）5和NMe 3 > py〜bipy。铱的固体加合物的研究表明的离子结构，硅烷（SiH 3，2B）+ [M（CO）Ñ ] - 。不像的SiH 3的Mn（CO）5，的SiH 3的Mn（CO）5，2PY发生反应容易地用HCl，得到的SiH 3氯。氨与气态SiH 3反应Co（CO）4和SiH 3 Mn（CO）5产生（SiH 3）2 NH及其分解产物；PH 3和PF 3在室温下均不反应。

  DOI：

  10.1039/j19690001920
• 作为产物：
  描述：

  sodium tetracarbonyl cobaltate 、 三碘硅烷 在 dimethyl ether 作用下， 生成 Cobalt, tetracarbonylsilyl-
  参考文献：
  名称：

  Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Co: Org.Verb.1, 1.1.4.5.2.1.1, page 115 - 118

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Silicon–transition metal compounds. Part III. Reactions of silyltetracarbonylcobalt and silylpentacarbonylmanganese with Lewis bases of nitrogen and phosphorus
  作者：B. J. Aylett、J. M. Campbell

  DOI：10.1039/j19690001920

  日期：——

  Silyltetracarbonylcobalt and silylpentacarbonylmanganese form 1 : 2 adducts with trimethylamine and pyridine (py), and 1 : 1 adducts with 2,2′-bipyridyl (bipy). Stabilities are inferred to lie in the probable orders: SiH3Co(CO)4 > SiH3Mn(CO)5 and NMe3 > py ∼ bipy. I.r. studies of the solid adducts suggest an ionic structure, (SiH3,2B)+[M(CO)n]–. Unlike SiH3Mn(CO)5, SiH3Mn(CO)5,2py reacts readily with

  甲硅烷基四羰基钴和甲硅烷基五羰基锰与三甲胺和吡啶（py）形成1：2加合物，与2，2′-联吡啶（bipy）形成1：1加合物。推断出其稳定性可能存在以下顺序：SiH 3 Co（CO）4 > SiH 3 Mn（CO）5和NMe 3 > py〜bipy。铱的固体加合物的研究表明的离子结构，硅烷（SiH 3，2B）+ [M（CO）Ñ ] - 。不像的SiH 3的Mn（CO）5，的SiH 3的Mn（CO）5，2PY发生反应容易地用HCl，得到的SiH 3氯。氨与气态SiH 3反应Co（CO）4和SiH 3 Mn（CO）5产生（SiH 3）2 NH及其分解产物；PH 3和PF 3在室温下均不反应。
• Silicon–transition-metal compounds. Part I. Silyltetracarbonylcobalt and related compounds
  作者：B. J. Aylett、J. M. Campbell

  DOI：10.1039/j19690001910

  日期：——

  di-iodosilane react with NaCo(CO)4 in ether at low temperatures to give silyltetracarbonylcobalt, SiH3Co(CO)4, and silylenebis(tetracarbonylcobalt), SiH2[Co(CO)4]2, respectively. Physical properties of both compounds are reported, together with i.r., mass, and n.m.r. spectra of SiH3Co(CO)4. Pyrolysis of gaseous SiH3Co(CO)4 at 120° yields H2, CO, SiH4, and a dark-coloured inert solid; some HCo(CO)4 is also present

  碘硅烷和二碘硅烷在低温下与NaCo（CO）4在乙醚中反应，分别得到甲硅烷基四羰基钴，SiH 3 Co（CO）4和亚甲撑双（四羰基钴），SiH 2 [Co（CO）4 ] 2。报告了这两种化合物的物理性质，以及SiH 3 Co（CO）4的ir，质量和nmr光谱。气态SiH 3 Co（CO）4在120°上热解产生H 2，CO，SiH 4和深色惰性固体。一些HCo（CO）4在早期也存在。推断出固体产物的化学计量学和可能的交联聚合物性质，并概述了其金属涂层性能。SiH 3 Co（CO）4中的Si-Co键被HX（X = F，Cl，O / 2）破坏，得到SiH 3 X和HCo（CO）4，也被HgX 2（X = Cl，I ），得到SiH 3 X和Hg [Co（CO）4 ] 2。SiH 2 [Co（CO）4 ] 2的行为类似。没有将CO插入Si-Co键中；PPh 3与SiH 3 Co（CO）4缓慢反应取代CO并可能产生反式-SiH
• Chemical vapour deposition of transition-metal silicides by pyrolysis of silyl transition-metal carbonyl compounds
  作者：Bernard J. Aylett、Howard M. Colquhoun

  DOI：10.1039/dt9770002058

  日期：——

  Pyrolysis of [Co(CO)4(SiH3)], [Fe(CO)4(SiH3)2], and [Mn(CO)5(SiH3)] at 773 K in a flow system affords the transition-metal silicldes CoSi, β-FeSi2 and MnSi–Mn5Si3 respectively. Static pyrolysis of [Mn(CO)5(SiH3)] gives only amorphous solid products which contain, in addition to metal and silicon, appreciable quantities of carbon, hydrogen, and oxygen.

  [Co（CO）4（SiH 3）]，[Fe（CO）4（SiH 3）2和[Mn（CO）5（SiH 3）]在流动系统中于773 K裂解。金属silicldes硅化钴，β-硅铁2和锰硅-锰5的Si 3分别。[Mn（CO）5（SiH 3）]的静态热解仅生成无定形固体产物，该固体产物除金属和硅外还包含相当数量的碳，氢和氧。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Co: Org.Verb.1, 1.1.4.5.2.1.1, page 115 - 118
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Chemical vapour deposition of metals and metal silicides on the internal surfaces of porous silicon
  作者：D.G. Anderson、N. Anwar、B.J. Aylett、L.G. Earwaker、M.I. Nasir、J.P.G. Farr、K. Stiebahl、J.M. Keen

  DOI：10.1016/0022-328x(92)83450-v

  日期：1992.8

  Cobalt, cobalt monosilicide and rhenium thin films have been deposited on the internal walls of both n- and p-type porous silicon (PS) by metallo-organic chemical vapour deposition (MOCVD) at moderate temperatures and low pressure. Characterisation of the films by Rutherford Back-Scattering (RBS) showed penetration of Co, CoSi and Re into the pores to a depth of at least 2 mum, the concentration decreasing with increasing depth; NRA light element analysis revealed that substantial levels of oxygen and, to a lesser extent, carbon were present in the films.

表征谱图