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2-(pentafluorobenzenesulfonyl)oxy-1H-isoindole-1,3(2H)-dione | 142096-70-6

中文名称
——
中文别名
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英文名称
2-(pentafluorobenzenesulfonyl)oxy-1H-isoindole-1,3(2H)-dione
英文别名
N-(perfluorobenzenesulfonyloxy)phthalimide;2-[(2,3,4,5,6-Pentafluorobenzene-1-sulfonyl)oxy]-1H-isoindole-1,3(2H)-dione;(1,3-dioxoisoindol-2-yl) 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenesulfonate
2-(pentafluorobenzenesulfonyl)oxy-1H-isoindole-1,3(2H)-dione化学式
CAS
142096-70-6
化学式
C14H4F5NO5S
mdl
——
分子量
393.247
InChiKey
BSILUFBEYNTQLO-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.6
  • 重原子数:
    26
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    89.1
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    10

文献信息

  • Novel carbazole derivative and chemically amplified radiation-sensitive resin composition
    申请人:——
    公开号:US20020172885A1
    公开(公告)日:2002-11-21
    A carbazole derivative of the following formula (1), 1 wherein R 1 and R 2 individually represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, or R 1 and R 2 form, together with the carbon atom to which R 1 and R 2 bond, a divalent organic group having a 3-8 member carbocyclic structure or a 3-8 member heterocyclic structure, and R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. The carbazole derivative is suitable as an additive for increasing sensitivity of a chemically amplified resist. A chemically amplified radiation-sensitive resin composition, useful as a chemically amplified resist, comprising the carbazole derivative is also disclosed.
    以下是该段文字的中文翻译: 一种具有以下式(1)的咔唑衍生物,其中R1和R2分别代表氢原子或一价有机基团,或者R1和R2与其结合的碳原子一起形成具有3-8个成员碳环结构或3-8个成员杂环结构的二价有机基团,R3代表氢原子或一价有机基团。该咔唑衍生物适用作为增加化学增感抗蚀性的添加剂。还公开了一种化学增感辐射敏感树脂组合物,该组合物用作化学增感抗蚀剂,包括该咔唑衍生物。
  • Novel anthracene derivative and radiation-sensitive resin composition
    申请人:——
    公开号:US20030194634A1
    公开(公告)日:2003-10-16
    A novel anthracene derivative useful as an additive to a radiation-sensitive resin composition is disclosed. The anthracene derivative has the following formula (1), 1 wherein R 1 groups individually represent a hydroxyl group or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms, n is an integer of 0-9, X is a single bond or a divalent organic group having 1-12 carbon atoms, and R 2 represents a monovalent acid-dissociable group. The radiation-sensitive resin composition comprises the anthracene derivative of the formula (1), a resin insoluble or scarcely soluble in alkali, but becomes alkali soluble in the presence of an acid, and a photoacid generator. The composition is useful as a chemically-amplified resist for microfabrication utilizing deep ultraviolet rays, typified by a KrF excimer laser and ArF excimer laser.
    揭示了一种作为辐射敏感树脂组合物添加剂有用的新型蒽衍生物。该蒽衍生物具有以下化学式(1),其中R1基分别表示一个羟基或具有1-20个碳原子的一价有机基团,n是0-9的整数,X是一个单键或具有1-12个碳原子的二价有机基团,R2表示一价酸可解离基团。辐射敏感树脂组合物包括化学式(1)的蒽衍生物,一种在碱性条件下不溶或几乎不溶但在存在酸时变为碱溶的树脂,以及光酸发生剂。该组合物可用作化学放大光刻胶,用于利用KrF准分子激光和ArF准分子激光等深紫外线进行微加工。
  • Acid generator, sulfonic acid, sulfonic acid derivatives and radiation-sensitive resin composition
    申请人:——
    公开号:US20030113658A1
    公开(公告)日:2003-06-19
    A novel photoacid generator containing a structure of the following formula (I), 1 wherein R is a monovalent organic group with a fluorine content of 50 wt % or less, a nitro group, a cyano group, or a hydrogen atom, and Z 1 and Z 2 are individually a fluorine atom or a linear or branched perfluoroalkyl group having 1-10 carbon atoms, is provided. When used in a chemically amplified radiation-sensitive resin composition, the photoacid generator exhibits high transparency, comparatively high combustibility, and no bioaccumulation, and produces an acid exhibiting high acidity, high boiling point, moderately short diffusion length in the resist coating, and low dependency to mask pattern density.
    提供一种新型光酸发生剂,其含有以下式(I)的结构,其中R是一种具有50重量%或以下氟含量,硝基,氰基或氢原子的一价有机基团,Z1和Z2分别是氟原子或具有1-10个碳原子的线性或支链全氟烷基团。当用于化学增感辐射敏感树脂组成物中时,该光酸发生剂表现出高透明度,相对高的可燃性和无生物积累,并产生具有高酸度,高沸点,适度短的扩散长度在抗蚀涂层中,并且对掩模图案密度的依赖性低的酸。
  • POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
    申请人:HIRANO Shuji
    公开号:US20080248419A1
    公开(公告)日:2008-10-09
    A positive resist composition, includes: (A) a resin that has a group having absorption at 248 nm at a main chain terminal of the resin (A), and a pattern forming method uses the composition.
    一种正性光刻胶组合物,包括:(A)一种具有在树脂(A)的主链端具有在248nm处吸收的基团的树脂,并且使用该组合物进行图案形成的方法。
  • STABILIZED ACID AMPLIFIERS
    申请人:Brainard Robert L.
    公开号:US20140193752A1
    公开(公告)日:2014-07-10
    There are disclosed sulfonic acid precursor compositions, as are methods of using these compositions in, for example, photolithography. Other embodiments are also disclosed.
    公开了磺酸前体组合物,以及使用这些组合物进行光刻等方法。还公开了其他实施例。
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