七氟丁酸丁酯 | 1559-07-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 卤代烷
• 中文名称: 七氟丁酸丁酯
• 中文别名: 正丁基七氟丁酸酯；正丁基七氟丁酸酯,97%
• 英文名称: n-Butyl-heptafluor-butyrat
• 英文别名: heptafluoro-butyric acid butyl ester；Heptafluor-buttersaeure-butylester；Butyl 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutanoate
• CAS: 1559-07-5
• 化学式: C₈H₉F₇O₂
• mdl: MFCD00039240
• 分子量: 270.147
• InChiKey: YDXXJZKOOOJVEE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  182-183°C
• 密度：
  1,296 g/cm3
• 闪点：
  131-133°C
• 保留指数：
  735;734.6;737
• 稳定性/保质期：

  如果按照规定使用和储存，则不会分解，没有已知的危险反应。请避免接触氧化物。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.8
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.875
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  9

安全信息

• 危险品标志：
  F
• 危险类别码：
  R36/37/38
• 海关编码：
  2915900090
• 安全说明：
  S26,S36/37/39

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  亚磷酸二丁酯 、 七氟丁酸 生成 七氟丁酸丁酯
  参考文献：
  名称：

  Esterification of Carboxylic Acids by Dialkyl Phosphonates

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01574a045

文献信息

• Reaction injection molding method
  申请人：NIPPON ZEON CO., LTD.

  公开号：EP0351770A2

  公开（公告）日：1990-01-24

  This invention pertains to the use of an organic fluorine compound as a mold release agent wherein at least one norbornene compound is polymerized by ring opening in a mold coated with said release agent. The organic fluorine compound release agent can be used in combination with a conventional mold release agent.

  本发明涉及使用有机氟化合物作为脱模剂，其中至少一种降冰片烯化合物在涂有所述脱模剂的模具中通过开环聚合。有机氟化合物脱模剂可与传统脱模剂结合使用。
• Methods for stripping material for wafer reclamation
  申请人：ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.

  公开号：EP1975987A2

  公开（公告）日：2008-10-01

  Removal compositions and processes for removing at least one material layer from a rejected microelectronic device structure having same thereon. The removal composition includes hydrofluoric acid. The composition achieves substantial removal of the material(s) to be removed while not damaging the layers to be retained, for reclaiming, reworking, recycling and/or reuse of said structure.

  用于从被剔除的微电子器件结构上去除至少一层材料层的去除组合物和工艺。去除组合物包括氢氟酸。该组合物可大量去除待去除的材料，同时不损坏待保留的材料层，以便对所述结构进行回收、再加工、再循环和/或再利用。
• METHOD FOR FORMING COATING FILM OF PHOTOSETTING FLUOROPOLYETHER-BASED ELASTOMER COMPOSITION
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：EP3892391A1

  公开（公告）日：2021-10-13

  Provided is a method for forming a coating film of a photocurable fluoropolyether-based elastomer composition, with which a uniform cured product of the composition can be obtained even in an interface, dark portion and deep portion of a base material without being subjected to a curing inhibition from the base material (resin base material in particular). The method for forming the coating film of the photocurable fluoropolyether-based elastomer composition includes a step of applying a light-irradiated photocurable fluoropolyether-based elastomer composition to a surface of a base material.

  本发明提供了一种用于形成光固化含氟聚醚基弹性体组合物涂膜的方法，通过该方法，即使在基材（尤其是树脂基材）的界面、暗部和深部也能获得该组合物的均匀固化产物，而不会受到来自基材（尤其是树脂基材）的固化抑制。光固化含氟聚醚基弹性体组合物涂膜的形成方法包括将经过光照射的光固化含氟聚醚基弹性体组合物涂在基体材料表面的步骤。
• メモリデバイス構造の洗浄製剤
  申请人：アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド

  公开号：JP2010509777A

  公开（公告）日：2010-03-25

  【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート（Ｐ−ＴＥＯＳ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエンハンスド酸化物（ＰＥＯＸ）、高密度プラズマ酸化物（ＨＤＰ）、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料類、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、半球状グレイン（ＨＳＱ）、炭素ドープされた酸化物（ＣＤＯ）ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び／又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。【選択図】図１Ｅ

  本发明提供了用于从微电子设备上去除封盖层和绝缘层的改进组合物。所公开的是用于从具有含硅层的微电子器件上去除含硅层的去除组合物和方法。去除组合物包括但不限于：氧化硅、等离子体增强正硅酸四乙酯（P-TEOS）、硼磷硅酸盐玻璃（BPSG）、等离子体增强氧化物（PEOX）、高密度等离子体氧化物（HDP）、磷硅酸盐玻璃 (PSG)、自旋电介质 (SOD)、热氧化物、上掺杂硅酸盐玻璃、牺牲氧化物、含硅有机聚合物、含硅有机/无机混合材料、有机硅酸盐玻璃 (OSG)、TEOS、氟化硅酸盐玻璃 (FSG）、半球形晶粒 (HSQ)、掺碳氧化物 (CDO) 玻璃，以及它们的各种组合。[选图] 图 1e.
• EP1946358A4
  申请人：——

  公开号：EP1946358A4

  公开（公告）日：2009-03-04

表征谱图