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Zn(OCH2CH2NMe2)2

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Zn(OCH2CH2NMe2)2
英文别名
[Zn(N,N-dimethylaminoethanolate)2]
Zn(OCH2CH2NMe2)2化学式
CAS
——
化学式
2C4H10NO*Zn
mdl
——
分子量
241.649
InChiKey
NZCBWIRNRCGHEZ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -1.09
  • 重原子数:
    7.0
  • 可旋转键数:
    2.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    26.3
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    2.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Zn(OCH2CH2NMe2)2乙基氯化镁乙醚 为溶剂, 生成 diethylzinc
    参考文献:
    名称:
    WO2008/134890
    摘要:
    公开号:
  • 作为产物:
    描述:
    bis(bis(trimethylsilyl)amido)zinc(II) 、 N,N-二甲基乙醇胺正己烷 为溶剂, 以72%的产率得到Zn(OCH2CH2NMe2)2
    参考文献:
    名称:
    Goel, Subhash C.; Chiang, Michael Y.; Buhro, William E., Inorganic Chemistry, 1990, vol. 29, # 23, p. 4646 - 4652
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • Aerosol assisted chemical vapour deposition of Cu–ZnO composite from single source precursors
    作者:Muhammad Shahid、Muhammad Mazhar、Mazhar Hamid、Paul O' Brien、Mohammad A. Malik、Madeleine Helliwell、James Raftery
    DOI:10.1039/b903406d
    日期:——
    composite on glass substrates by aerosol assisted chemical vapor deposition (AACVD) method. The films were characterized by “scotch tape” test for adhesion, thickness measurement as a function of temperature, EDX for composition, SEM for surface morphology and XRD for crystalline phases. Thin film deposition studies at 250, 325, 400, 475 °C indicated the increase in thickness with temperature reaching a
    两种异双金属前体[Zn(TFA)3(μ-OH)Cu 3(dmae)3 Cl]·THF(1)和[Zn(TFA)4 Cu 3(dmae)4 ](2)[dmae = N,N -二甲基氨基乙醇酸酯和TFA =三氟乙酸],并通过熔点进行了表征,元素分析, 傅立叶变换红外光谱, 质谱, TGA 和 单晶X射线衍射方法。两种配合物均用于通过以下方法在玻璃基板上沉积Cu-ZnO复合薄膜:气溶胶辅助化学气相沉积 (化学气相沉积) 方法。薄膜通过“透明胶带”粘合力测试,厚度测量随温度的变化进行表征,EDX 对于组成, 扫描电镜 用于表面形态和 X射线衍射 用于结晶相。 薄膜沉积 在250、325、400、475°C下进行的研究表明,随着温度在400°C达到最大值,厚度会增加,然后降低。 EDX 和 射线衍射 结果表明立方金属铜和六角形的均匀分布 氧化锌 使它们可用于结构化表面上的纳米催化的相。
  • WO2008/134890
    申请人:——
    公开号:——
    公开(公告)日:——
  • Goel, Subhash C.; Chiang, Michael Y.; Buhro, William E., Inorganic Chemistry, 1990, vol. 29, # 23, p. 4646 - 4652
    作者:Goel, Subhash C.、Chiang, Michael Y.、Buhro, William E.
    DOI:——
    日期:——
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