tetrakis(diethylamido)molybdenum(IV)

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tetrakis(diethylamido)molybdenum(IV)
• 英文别名: Molybden-tetrakis-diethylamid；Diethylazanide;molybdenum(4+)；diethylazanide;molybdenum(4+)
• 化学式: C₁₆H₄₀MoN₄
• 分子量: 384.46
• InChiKey: XOSQYKIEZMWGHW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.6
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-(N-methyl)azapentane-1,5-dithiol 、 tetrakis(diethylamido)molybdenum(IV) 以 乙二醇二甲醚 为溶剂， 反应 0.5h， 生成 bis(2,2′-(methylazanediyl)bis(ethane-1-thiolate))molybdenum(IV)
  参考文献：
  名称：

  二维金属双硫属元素化物MX 2的分子路线（M = Mo，W； X = S，Se）

  摘要：

  为了在实际应用中利用其非凡的半导体和光电特性，人们迫切希望获得一种新的合成方法来合成二维过渡金属二硫化碳（TMDC）。我们在这里介绍一类全新的分子前体[M IV（XEtN（Me）EtX）2 ]（M IV = Mo IV，W IV，X = S，Se），从而可以进行TMDC薄膜的化学气相沉积。二齿三齿钳型配体（HXEt）2 NR（R =甲基，叔丁基，苯基）的钼和钨配合物产生的空气稳定性单体二卤化二烯配合物[W（SEtN（Me）EtS）2 ]和[Mo（ SEtN（Me）EtS）2]，在4 S和2 N供体原子的八面体环境中显示W和Mo中心。由于Mo和W配合物具有显着的挥发性和清洁的热分解作用，因此在化学气相沉积（CVD）工艺中使用时，均会生成结晶的MoS 2和WS 2薄膜。X射线衍射分析和原子尺度成像证实了MoS 2和WS 2膜的相纯度和2D结构特征。这项工作中提出的一组新的配体为便捷地获得可扩展

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.9b01084
• 作为产物：
  描述：

  五氯化钼 、 二乙胺 在 正丁基锂 作用下， 以 正己烷 、 正戊烷 为溶剂， 反应 3.5h， 生成 tetrakis(diethylamido)molybdenum(IV)
  参考文献：
  名称：

  二维金属双硫属元素化物MX 2的分子路线（M = Mo，W； X = S，Se）

  摘要：

  为了在实际应用中利用其非凡的半导体和光电特性，人们迫切希望获得一种新的合成方法来合成二维过渡金属二硫化碳（TMDC）。我们在这里介绍一类全新的分子前体[M IV（XEtN（Me）EtX）2 ]（M IV = Mo IV，W IV，X = S，Se），从而可以进行TMDC薄膜的化学气相沉积。二齿三齿钳型配体（HXEt）2 NR（R =甲基，叔丁基，苯基）的钼和钨配合物产生的空气稳定性单体二卤化二烯配合物[W（SEtN（Me）EtS）2 ]和[Mo（ SEtN（Me）EtS）2]，在4 S和2 N供体原子的八面体环境中显示W和Mo中心。由于Mo和W配合物具有显着的挥发性和清洁的热分解作用，因此在化学气相沉积（CVD）工艺中使用时，均会生成结晶的MoS 2和WS 2薄膜。X射线衍射分析和原子尺度成像证实了MoS 2和WS 2膜的相纯度和2D结构特征。这项工作中提出的一组新的配体为便捷地获得可扩展

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.9b01084

文献信息

• Molecular Routes to Two-Dimensional Metal Dichalcogenides MX₂ (M = Mo, W; X = S, Se)
  作者：Veronika Brune、Corinna Hegemann、Sanjay Mathur

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.9b01084

  日期：2019.8.5

  (HXEt)2NR (R = methyl, tert-butyl, phenyl) produced air-stable monomeric dichalcogenide complexes, [W(SEtN(Me)EtS)2] and [Mo(SEtN(Me)EtS)2], displaying W and Mo centers in an octahedral environment of 4 S and 2 N donor atoms. Owing to their remarkable volatility and clean thermal decomposition, both Mo and W complexes, when used in the chemical vapor deposition (CVD) process, produced crystalline MoS2 and

  为了在实际应用中利用其非凡的半导体和光电特性，人们迫切希望获得一种新的合成方法来合成二维过渡金属二硫化碳（TMDC）。我们在这里介绍一类全新的分子前体[M IV（XEtN（Me）EtX）2 ]（M IV = Mo IV，W IV，X = S，Se），从而可以进行TMDC薄膜的化学气相沉积。二齿三齿钳型配体（HXEt）2 NR（R =甲基，叔丁基，苯基）的钼和钨配合物产生的空气稳定性单体二卤化二烯配合物[W（SEtN（Me）EtS）2 ]和[Mo（ SEtN（Me）EtS）2]，在4 S和2 N供体原子的八面体环境中显示W和Mo中心。由于Mo和W配合物具有显着的挥发性和清洁的热分解作用，因此在化学气相沉积（CVD）工艺中使用时，均会生成结晶的MoS 2和WS 2薄膜。X射线衍射分析和原子尺度成像证实了MoS 2和WS 2膜的相纯度和2D结构特征。这项工作中提出的一组新的配体为便捷地获得可扩展