ethyltrimethylammonium methyl carbonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机碳酸及其衍生物
• 英文名称: ethyltrimethylammonium methyl carbonate
• 英文别名: ethyl(trimethyl)azanium;methyl carbonate
• 化学式: C₂H₃O₃*C₅H₁₄N
• 分子量: 163.217
• InChiKey: QSPNICWOGNKGSW-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.31
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.86
• 拓扑面积：
  49.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  ethyltrimethylammonium methyl carbonate 以 水 为溶剂， 反应 3.0h， 以Trimethylethylammonium hydrogencarbonate was obtained in a yield of 96.3 mol %的产率得到trimethylethylammonium hydrogencarbonate
  参考文献：
  名称：

  Process for production of quaternary ammonium hydroxides

  摘要：

  一种生产高纯度季铵羟化物的方法，包括在一个电解池中电解表示为通式的季铵氢碳酸盐：##STR1##（其中符号如附加权利要求中所定义），该电解池包括由阳离子交换膜定义的阳极室和阴极室。按照该方法，可以高效地生产高纯度的季铵羟化物，而且不会引起设备腐蚀。由于本发明生产的季铵羟化物具有高纯度，因此可以有效地用作电子和半导体领域中生产集成电路和大规模集成电路中晶片的清洁剂、蚀刻剂或显影剂。

  公开号：

  US04776929A1
• 作为产物：
  描述：

  二甲基十二/十四烷基叔胺 、 碳酸二甲酯 以 甲醇 为溶剂， 反应 8.0h， 生成 ethyltrimethylammonium methyl carbonate
  参考文献：
  名称：

  JP5647820

  摘要：

  公开号：

文献信息

• Process for producing quaternary salts
  申请人：Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd.

  公开号：US04892944A1

  公开（公告）日：1990-01-09

  A process for producing quaternary salts of high purity is disclosed, comprising reacting a tertiary amine or phosphine with a carbonic acid diester to form a corresponding quaternary carbonate and further mixing it with an acid to perform decarboxylation. The quaternary salts thus obtained are useful compounds which can be used in wide fields as various catalysts, electrolytes, additives, medicaments, etc.

  本发明公开了一种生产高纯度季铵盐的方法，包括将三级胺或膦和碳酸二酯反应以形成相应的季碳酸酯，进一步将其与酸混合以进行脱羧反应。因此获得的季铵盐是有用的化合物，可用于广泛领域，如各种催化剂，电解质，添加剂，药物等。
• Process for producing a high purity quaternary ammonium hydroxide
  申请人：MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.

  公开号：EP0269949A2

  公开（公告）日：1988-06-08

  A process for production of high purity quaternary ammonium hydroxides, comprising electrolyzing quaternary ammonium hydrogencarbonates represented by the general formula: (wherein the symbols are as defined in the appended claims) in an electrolytic cell comprising an anode compartment and a cathode compartment defined by a cation exchange membrane. In accordance with this process, high purity quaternary ammonium hydroxides can be produced with high electrolytic efficiency and further without causing corrosion of equip­ment. Since the quaternary ammonium hydroxides produced by the present invention are of high purity, they can be effectively used as, for example, cleaners, etchants or developers for wafers in the production of IC and LSI in the field of electronics and semiconductors.

  一种生产高纯度季铵氢氧化物的工艺，包括在一个由阳离子交换膜限定的阳极室和阴极室组成的电解槽中电解通式如下的季铵碳酸氢盐： (其中符号与所附权利要求中定义的相同）的电解槽中进行电解，该电解槽由阳离子交换膜确定的阳极室和阴极室组成。根据这种工艺，可以生产出高纯度的季铵氢氧化物，电解效率高，而且不会对设备造成腐蚀。由于本发明生产的季铵氢氧化物纯度高，因此可有效地用作电子和半导体领域集成电路和 LSI 生产中晶片的清洁剂、蚀刻剂或显影剂等。
• US4892944A
  申请人：——

  公开号：US4892944A

  公开（公告）日：1990-01-09
• JP5647820
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Process for production of quaternary ammonium hydroxides
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：US04776929A1

  公开（公告）日：1988-10-11

  A process for production of high purity quarternary ammonium hydroxides, comprising electrolyzing quarternary ammonium hydrogencarbonates represented by the general formula: ##STR1## (wherein the symbols are as defined in the appended claims) in an electrolytic cell comprising an anode compartment and a cathode compartment defined by a cation exchange membrane. In accordance with this process, high purity quarternary ammonium hydroxides can be produced with high electrolytic efficiency and further without causing corrosion of equipment. Since the quarternary ammonium hydroxides produced by the present invention are of high purity, they can be effectively used as, for example, cleaners, etchants or developers for wafers in the production of IC and LSI in the field of electronics and semiconductors.

  一种生产高纯度季铵羟化物的方法，包括在一个电解池中电解表示为通式的季铵氢碳酸盐：##STR1##（其中符号如附加权利要求中所定义），该电解池包括由阳离子交换膜定义的阳极室和阴极室。按照该方法，可以高效地生产高纯度的季铵羟化物，而且不会引起设备腐蚀。由于本发明生产的季铵羟化物具有高纯度，因此可以有效地用作电子和半导体领域中生产集成电路和大规模集成电路中晶片的清洁剂、蚀刻剂或显影剂。