N-isopropylsenecialdimine

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: N-isopropylsenecialdimine
• 英文别名: N-(3-methyl-2-butenyliden)-isopropylamine；3-methyl-N-propan-2-ylbut-2-en-1-imine
• 化学式: C₈H₁₅N
• 分子量: 125.214
• InChiKey: ISKUTHMMLMPNFI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.62
• 拓扑面积：
  12.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  十二羰基三钌 、 N-isopropylsenecialdimine 以 正庚烷 为溶剂， 反应 24.0h， 以50%的产率得到hexacarbonyl[μ-[(1,2-η)-3-methyl-N-(1-methylethyl)-1-butene-1-aminato-κC2,κN¹:κN¹]]diruthenium
  参考文献：
  名称：

  CHEMICAL VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL INCLUDING DINUCLEAR RUTHENIUM COMPLEX AND CHEMICAL DEPOSITION METHOD USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL

  摘要：

  本发明涉及一种化学气相沉积原料，用于通过化学沉积法制备钌薄膜或钌化合物薄膜，该化学气相沉积原料包括一个二核钌配合物，其中羰基和含氮有机配体（L）与两个钌金属键合配位，该二核钌配合物由以下公式（1）表示：本发明的原料能够产生高纯度的钌薄膜，具有较低的熔点和适中的热稳定性。因此，本发明的原料适用于各种设备的电极。

  公开号：

  US20180201636A1

文献信息

• Tetrahydro-2(1H)-quinazolinones and cyclohexene nitriles
  申请人：Sandoz Ltd.

  公开号：US04395550A1

  公开（公告）日：1983-07-26

  A process for the production of 4-phenyl-2(1H)-quinazolinones and -4a,5,6,8a-tetrahydro-2(1H)-quinazolinones which comprises introducing the desired phenyl radical into a corresponding quinazolin-2,4(1H,3H)-dione by way of a Grignard reaction and hydrolysis of the resulting product.

  一种生产4-苯基-2（1H）-喹唑啉酮和4a，5，6，8a-四氢-2（1H）-喹唑啉酮的方法，包括通过格氏试剂反应将所需的苯基基团引入相应的喹唑啉-2,4（1H,3H）-二酮中，并水解所得产物。
• Substituted carboxyalkoxyaminodihydrobenzophenones
  申请人：Sandoz Ltd.

  公开号：US04316042A1

  公开（公告）日：1982-02-16

  Compounds of the formula II: ##STR1## are produced by reacting a compound of the formula III ##STR2## with a compound of the formula IV: ##STR3## wherein R.sub.1 is hydrogen, alkyl of 1 to 5 carbon atoms, cycloalkyl of 3 to 6 carbon atoms, alkyl of 1 to 4 carbon atoms substituted by cycloalkyl of 3 to 6 carbon atoms, polyhaloalkyl of 1 to 5 carbon atoms, allyl, propargyl, enzyl or aryl, R.sub.2 is hydrogen, halogen, alkyl or alkoxy, each of 1 to 4 carbon atoms, trifluoromethyl, nitro, alkylamino or dialkylamino, wherein the alkyl groups have 1 to 4 carbon atoms, or aryl, R.sub.3 is hydrogen, halogen, alkyl or alkoxy, each of 1 to 4 carbon atoms, or aryl, R.sub.4 is hydrogen, nitro, halogen, alkyl or alkoxy each of 1 to 4 carbon atoms or aryl, R.sub.5 is hydrogen, halogen, alkyl, alkylthio or alkoxy each of 1 to 4 carbon atoms, nitro, trifluoromethyl or aryl, R.sub.6 is hydrogen, halogen, alkyl of 1 to 4 carbon atoms, benzyl or aryl, and R is alkyl of 1 to 4 carbon atoms. Compounds II can be dehydrogenated and used as intermediates for 4-phenyl-quinazolin-2(1H)-ones.

  公式II的化合物：##STR1##是通过将公式III的化合物##STR2##与公式IV的化合物反应而产生的：##STR3##其中R.sub.1为氢，1至5个碳原子的烷基，3至6个碳原子的环烷基，1至4个碳原子的烷基被3至6个碳原子的环烷基取代，1至5个碳原子的多卤代烷基，烯丙基，丙炔基，苄基或芳基，R.sub.2为氢，卤素，1至4个碳原子的烷基或烷氧基，三氟甲基，硝基，1至4个碳原子的烷基氨基或二烷基氨基，其中烷基基团具有1至4个碳原子，或芳基，R.sub.3为氢，卤素，1至4个碳原子的烷基或烷氧基，或芳基，R.sub.4为氢，硝基，卤素，1至4个碳原子的烷基或烷氧基或芳基，R.sub.5为氢，卤素，1至4个碳原子的烷基，硫代烷基或烷氧基，硝基，三氟甲基或芳基，R.sub.6为氢，卤素，1至4个碳原子的烷基，苄基或芳基，R为1至4个碳原子的烷基。化合物II可以脱氢并用作4-苯基喹唑啉-2（1H）-酮的中间体。
• CHEMICAL VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL INCLUDING DINUCLEAR RUTHENIUM COMPLEX AND CHEMICAL DEPOSITION METHOD USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL
  申请人：TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K.

  公开号：US20180201636A1

  公开（公告）日：2018-07-19

  The present invention relates to a chemical vapor deposition raw material for producing a ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film by a chemical deposition method, the chemical vapor deposition raw material including a dinuclear ruthenium complex in which carbonyl and a nitrogen-containing organic ligand (L) are coordinated to metallically bonded two rutheniums, the dinuclear ruthenium complex being represented by the following formula ( 1 ): A raw material according to the present invention is capable of producing a high-purity ruthenium thin film, and has a low melting point and moderate thermal stability. Thus, the raw material according to the present invention is suitable for use in electrodes of various kinds of devices.

  本发明涉及一种化学气相沉积原料，用于通过化学沉积法制备钌薄膜或钌化合物薄膜，该化学气相沉积原料包括一个二核钌配合物，其中羰基和含氮有机配体（L）与两个钌金属键合配位，该二核钌配合物由以下公式（1）表示：本发明的原料能够产生高纯度的钌薄膜，具有较低的熔点和适中的热稳定性。因此，本发明的原料适用于各种设备的电极。