N-ethyl-4-methyl-1-aza-1,3-pentadiene

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: N-ethyl-4-methyl-1-aza-1,3-pentadiene
• 英文别名: N-ethylsenecialdimine；N-ethyl-3-methylbut-2-en-1-imine
• 化学式: C₇H₁₃N
• 分子量: 111.187
• InChiKey: VJIZSEKKYOXYAV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.7
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.57
• 拓扑面积：
  12.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  十二羰基三钌 、 N-ethyl-4-methyl-1-aza-1,3-pentadiene 以 正庚烷 为溶剂， 反应 24.0h， 以20%的产率得到hexacarbonyl[μ-[(1,2-η)-N-ethyl-3-methyl-1-butene-1-aminato-κC2,κN¹:κN¹]]diruthenium
  参考文献：
  名称：

  CHEMICAL VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL INCLUDING DINUCLEAR RUTHENIUM COMPLEX AND CHEMICAL DEPOSITION METHOD USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL

  摘要：

  本发明涉及一种化学气相沉积原料，用于通过化学沉积法制备钌薄膜或钌化合物薄膜，该化学气相沉积原料包括一个二核钌配合物，其中羰基和含氮有机配体（L）与两个钌金属键合配位，该二核钌配合物由以下公式（1）表示：本发明的原料能够产生高纯度的钌薄膜，具有较低的熔点和适中的热稳定性。因此，本发明的原料适用于各种设备的电极。

  公开号：

  US20180201636A1

文献信息

• CHEMICAL VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL INCLUDING DINUCLEAR RUTHENIUM COMPLEX AND CHEMICAL DEPOSITION METHOD USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL
  申请人：TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K.

  公开号：US20180201636A1

  公开（公告）日：2018-07-19

  The present invention relates to a chemical vapor deposition raw material for producing a ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film by a chemical deposition method, the chemical vapor deposition raw material including a dinuclear ruthenium complex in which carbonyl and a nitrogen-containing organic ligand (L) are coordinated to metallically bonded two rutheniums, the dinuclear ruthenium complex being represented by the following formula ( 1 ): A raw material according to the present invention is capable of producing a high-purity ruthenium thin film, and has a low melting point and moderate thermal stability. Thus, the raw material according to the present invention is suitable for use in electrodes of various kinds of devices.

  本发明涉及一种化学气相沉积原料，用于通过化学沉积法制备钌薄膜或钌化合物薄膜，该化学气相沉积原料包括一个二核钌配合物，其中羰基和含氮有机配体（L）与两个钌金属键合配位，该二核钌配合物由以下公式（1）表示：本发明的原料能够产生高纯度的钌薄膜，具有较低的熔点和适中的热稳定性。因此，本发明的原料适用于各种设备的电极。