发现与性质
二氟化氙(XeF2),也称为二氟代氙,于1962年被首次发现。它是一种强氧化剂和氟化剂,外观为无色透明晶体状,在室温下容易升华,并带有恶臭气味。其熔点为303 K,具有极佳的选择性和反应速度。遇水易分解,在中性或碱性溶液中也可分解;在酸性溶液中较为稳定。二氟化氙遇到易燃物可燃烧。
理化性质
二氟化氙为无色透明的四方晶体,相对密度4.32(25/4℃),熔点129℃,固体蒸气压为4.6×133.322Pa(25℃)。其蒸汽也是无色且有恶臭味。易溶于无水氟化氢、氟化亚硝酰•三(氟化氢)和五氟化碘,并不发生电离。能被氢还原生成氙和氟化氢,与氟反应可生成四氟化氙或六氟化氙。
二氟化氙遇水分解过程复杂,在日光直射下,可通过氙与氟的反应制得。
产品特性
相比四氟化氙、六氟化氙,二氟化氙氧化性及氟化性较为温和,安全性较好。在水溶液中作为氧化剂使用时,可与溴酸钠发生反应生成高溴酸钠;非水溶液中则作为氟化剂使用,具有良好的选择性。
在有机氟化物、无机氟化物的制备方面,二氟化氙因其作为氟化剂使用会释放出氙,且氙可回收再利用制成二氟化氙,展现出循环经济的良好效果。此外,二氟化氙还应用于核工业和新材料制备中,如生产氟氮双掺氧化石墨烯、红外荧光氮掺杂石墨烯及氟掺杂螺旋碳纳米管等。
在化学气相工艺中,二氟化氙作为氟化剂使用可对硅表面进行刻蚀。它具有高良品率和低成本的优点,在MEMS(微机电系统)蚀刻工艺中有广泛应用。
由于其选择性和出色的覆盖范围,二氟化氙可用于制作非常长的底切,并避免沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层过度刻蚀,提高微观上的刻蚀均匀性。因此常用于制备二氟化氙气相刻蚀阻挡层。
用途
一种制备二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法包括:将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层表面;采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层,从而提高该区域的刻蚀速率,降低沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率。这种方法能有效防止过度刻蚀,并提升微观刻蚀均匀性。
制备方法
二氟化氙通过加热条件下使氙与氟反应来制备。