2-pentafluorophenylbenzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene | 1354911-77-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 2-pentafluorophenylbenzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene
• 英文别名: PF-BTDT；12-(2,3,4,5,6-Pentafluorophenyl)-8,11,15-trithiatetracyclo[7.6.0.02,7.010,14]pentadeca-1(9),2,4,6,10(14),12-hexaene
• CAS: 1354911-77-5
• 化学式: C₁₈H₅F₅S₃
• 分子量: 412.428
• InChiKey: PHJAENCUAMOKPI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.3
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  84.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  溴五氟苯 、 Tributyl(8,11,15-trithiatetracyclo[7.6.0.02,7.010,14]pentadeca-1(9),2,4,6,10(14),12-hexaen-12-yl)stannane 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 48.0h， 以165 mg的产率得到2-pentafluorophenylbenzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene
  参考文献：
  名称：

  熔融噻吩半导体：晶体结构-膜微结构晶体管性能相关性

  摘要：

  结晶域内的分子堆积基序应该是决定基于小有机分子的薄膜晶体管（TFT）中电荷传输的关键因素。尽管具有这种隐含的重要性，但有关绝大多数分子有机半导体的多晶薄膜中分子组织的详细信息尚不可用。考虑到熔融噻吩作为对环境稳定的高性能半导体的潜力，因此研究与单晶分子堆积和OTFT性能有关的薄膜微结构是很有意义的。在这里，几个新的苯并[ d，d' ] thieno [3,2- b ; 4,5- b' ]二噻吩（BTDT）的分子堆积图案）分别通过单晶衍射和掠射入射广角X射线散射（GIWAXS）在块状3D晶体和薄膜中研究了衍生物。结果表明，BTDT衍生物薄膜与其堆积晶体的分子堆积可以有显着不同。对于苯基苯并[ d，d' ] thieno [3,2- b ; 4,5- b' ]二噻吩（P-BTDT），2-联苯苯并[ d，d' ] thieno- [3,2- b ; 4， 5‐ b' ]二噻吩（Bp‐BTDT），2‐萘苯并[

  DOI：

  10.1002/adfm.201203439

文献信息

• ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUNDS
  申请人：Chen Liang-Hsiang

  公开号：US20120012819A1

  公开（公告）日：2012-01-19

  The disclosure is related to organic semiconductor compounds including benzodithieno(3,2-b:2′,3′-d)thiophene (BDTT) and the derivatives of benzodithieno(3,2-b:2′,3′-d)thiophene. The organic compounds of the disclosure have high resistance to the oxidation and high electrical stability. Accordingly, the semiconductor device having an organic semiconductor layer made of the organic compounds of the disclosure has stable electrical performance, and the reliability of the semiconductor device is improved.

  本公开涉及有机半导体化合物，包括苯并二噻吩（BDTT）及苯并二噻吩（3,2-b:2′,3′-d）噻吩的衍生物。本公开的有机化合物具有高抗氧化性和高电稳定性。因此，使用本公开的有机化合物制成的有机半导体层的半导体器件具有稳定的电性能，从而提高了半导体器件的可靠性。
• US8350256B2
  申请人：——

  公开号：US8350256B2

  公开（公告）日：2013-01-08