4-amino-2-imino-3-pentene | 52739-26-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 4-amino-2-imino-3-pentene
• 英文别名: 4-iminopent-2-en-2-amine；(2-amino)-4-imino-2-pentene；2-Imino-4-amino-penten-3；2-Imino-4-amino-3-pentene
• CAS: 52739-26-1
• 化学式: C₅H₁₀N₂
• mdl: MFCD02094736
• 分子量: 98.1478
• InChiKey: URFRUNCMRYDMIA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  49.9
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  四(二甲氨基)锆 、 4-amino-2-imino-3-pentene 以 甲苯 为溶剂， 以47%的产率得到tetrakis(4-iminopent-2-en-2-amido)zirconium
  参考文献：
  名称：

  易挥发的基于β-酮亚胺基和β-二酮基亚胺基的锆配合物，可能是MOCVD的前体。

  摘要：

  从四（二烷基氨基）锆配合物和β-二酮亚胺或另外的席夫碱化合物开始，胺消除途径已被用于生产许多均配和杂配锆配合物。2当量的双齿β-二酮亚胺（2Z，4E）-N-甲基-4-（甲基亚氨基）戊-2-烯-2-胺与Zr（NR（2））（4）（R = Me， Et）提供六配位的杂配化合物双（N-甲基-4-（甲基亚氨基）戊-2-烯-2-酰胺基）双（二烷基酰胺基）锆1（烷基= Me）和2（烷基= Et）。已经研究了这两种化合物在溶液中的动力学行为。与异丙基取代的β-二酮亚胺（2Z）-N-异丙基-4-（异丙基亚氨基）戊-2-烯-2-胺反应生成五配位单（二酮亚胺基）取代的化合物（N-异丙基-4- （isoropylimino）pent-2-en-2-amido）tris（dimethylamido）锆3。通过使用席夫碱（3Z）-4-（甲基氨基）戊-3-en-2-one，还可以制备六配位的双（4-（甲基氨基）戊-3-

  DOI：

  10.1021/ic034328f
• 作为产物：
  描述：

  4-氨基-3-戊烯-2-酮 生成 4-amino-2-imino-3-pentene
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and properties of some β-diketimines derived from acetylacetone, and their metal complexes

  摘要：

  报道了一系列结构为1的二酮亚胺配体的合成。这些配体与Cu(II)、Ni(II)和Co(II)形成了类型2的双双齿螯合物。记录了这些配合物的光谱、磁矩以及在一些情况下的溶液分子量。根据这些数据，得出结论称，未在氮原子上取代的配合物采用了平面正方形立体化学结构，与其他所有伪四面体结构的配合物形成对比。

  DOI：

  10.1139/v68-315

文献信息

• Richeson, Darrin S.; Mitchell, John F.; Theopold, Organometallics, 1989, vol. 8, # 11, p. 2570 - 2577
  作者：Richeson, Darrin S.、Mitchell, John F.、Theopold

  DOI：——

  日期：——
• Nonfluorinated Volatile Copper(I) 1,3-Diketiminates as Precursors for Cu Metal Deposition via Atomic Layer Deposition
  作者：Kyung-Ho Park、Alexander Z. Bradley、Jeffery S. Thompson、Will J. Marshall

  DOI：10.1021/ic061016e

  日期：2006.10.1

  Novel nonfluorinated Cu(diketiminate) L complexes with L = neutral olefinic ligand have been prepared as stable, volatile Cu( I) precursors for the deposition of copper films by an atomic layer deposition (ALD) process. Among them, the complexes of 4-a and 5-a are the most volatile and stable at low temperature (55 degrees C). A clean, conformal copper film was deposited at 120 degrees C in an ALD process. These Cu(I) complexes are the first examples of nonfluorinated copper(I) diketiminates that can be readily applied to an industrial microelectronic fabrication process.