2-< 1-Hydroxycarbonyl-propylmercapto >-benzthiazol | 3383-65-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻唑类
• 英文名称: 2-< 1-Hydroxycarbonyl-propylmercapto >-benzthiazol
• 英文别名: 2-(1,3-Benzothiazol-2-ylthio)butanoic acid；2-(1,3-benzothiazol-2-ylsulfanyl)butanoic acid
• CAS: 3383-65-1
• 化学式: C₁₁H₁₁NO₂S₂
• mdl: MFCD02342682
• 分子量: 253.346
• InChiKey: QYKKOQIKRSOKTR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.6
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.272
• 拓扑面积：
  104
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-< 1-Hydroxycarbonyl-propylmercapto >-benzthiazol 在 四磷十氧化物 作用下， 以 5,5-dimethyl-1,3-cyclohexadiene 、 Petroleum ether 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  一种水溶性2-巯基苯并噻唑磷酸酯类防锈剂

  摘要：

  本发明公开了一种水溶2-巯基苯并噻唑磷酸酯类防锈剂，以硫酸溶液为溶剂，2-巯基苯并噻唑和α-烯基酸进行反应，其反应生成的化合物经过抽滤、滤饼碱溶解、再次抽滤、滤液酸化等提纯后，再与二乙醇胺进行反应，其反应生成的酰胺化产物，再进一步与五氧化二磷进行酯化反应，生成水溶性2-巯基苯并噻唑磷酸酯类防锈剂；合成物水溶性好；是一种有机杂环的羧酸酰胺磷酸酯，具有多个缓释基团与金属结合的特性，可起到优异的防锈作用；合成物还具有极压性能。

  公开号：

  CN105566391A
• 作为产物：
  描述：

  2-氯丁酸 、 2-巯基苯并噻唑 在 sodium hydroxide 作用下， 生成 2-< 1-Hydroxycarbonyl-propylmercapto >-benzthiazol
  参考文献：
  名称：

  Cagnoli,N.; Bellavita,V., Gazzetta Chimica Italiana, 1965, vol. 95, p. 615 - 623

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Heterocyclische Sulfide, Verfahren zu ihrer Herstellung und pharmazeutische Mittel, die diese Verbindungen enthalten
  申请人：HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT

  公开号：EP0194572A1

  公开（公告）日：1986-09-17

  Heterocyclische Sulfide der allgemeinen Formel Heterocyclus-S-R, Verfahren zu ihrer Herstellung und insbesondere ihre Verwendung zur Immunstimulation, Immunrestauration und zytostatischen Behandlung, sowie pharmazeutische Mittel für diese Indikationen, die ein solches Sulfid enthalten.

  通式为 Heterocyclus-S-R 的杂环硫化物，其制备工艺，特别是其在免疫刺激、免疫增强和细胞抑制治疗中的用途，以及用于这些适应症的含有此类硫化物的药物组合物。
• MATERIALS FOR POLISHING LIQUID FOR METAL, POLISHING LIQUID FOR METAL, METHOD FOR PREPARATION THEREOF AND POLISHING METHOD USING THE SAME
  申请人：Hitachi Chemical Company, Ltd.

  公开号：EP1150341A1

  公开（公告）日：2001-10-31

  Provided are a metal-polishing liquid that comprises an oxidizing agent, an oxidized-metal etchant, a protective film-forming agent, a dissolution promoter for the protective film-forming agent, and water; a method for producing it; and a polishing method of using it. Also provided are materials for the metal-polishing liquid, which include an oxidized-metal etchant, a protective film-forming agent, and a dissolution promoter for the protective film-forming agent.

  本发明提供了一种金属抛光液，它由氧化剂、氧化金属蚀刻剂、保护膜形成剂、保护膜形成剂的溶解促进剂和水组成；还提供了一种生产方法和一种抛光方法。此外，还提供了用于金属抛光液的材料，其中包括氧化金属蚀刻剂、保护膜形成剂和保护膜形成剂的溶解促进剂。
• POLISHING COMPOUND FOR CHEMIMECHANICAL POLISHING AND POLISHING METHOD
  申请人：Hitachi Chemical Company, Ltd.

  公开号：EP1223609A1

  公开（公告）日：2002-07-17

  This invention provides a polishing medium for CMP, comprising an oxidizing agent, a metal-oxide-dissolving agent, a protective-film-forming agent, a water-soluble polymer, and water, and a polishing method making use of this polishing medium. Also, it is preferable that the water-soluble polymer has a weight-average molecular weight of 500 or more and the polishing medium has a coefficient of kinetic friction of 0.25 or more, a Ubbelode's viscosity of from 0.95 cP to 1.5 cP and a point-of-inflection pressure of 50 gf/cm2.

  本发明提供了一种用于 CMP 的抛光介质，它由氧化剂、金属氧化物溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水组成，并提供了一种利用这种抛光介质的抛光方法。此外，水溶性聚合物的重量平均分子量最好为 500 或以上，抛光介质的动摩擦系数最好为 0.25 或以上，乌贝洛德粘度最好为 0.95 cP 至 1.5 cP，反射点压力最好为 50 gf/cm2。
• Polishing solution of metal and chemical mechanical polishing method
  申请人：FUJI PHOTO FILM CO., LTD.

  公开号：EP1612249A1

  公开（公告）日：2006-01-04

  A polishing solution for metal comprises a specific compound represented and an oxidizing agent. A chemical mechanical polishing method for a semiconductor substrate, comprises: supplying a polishing solution for metal comprising a specific compound; and an oxidizing agent; allowing a polishing face and a face to be polished to be moved relatively to each other while the polishing face and the face to be polished are in contact with each other via the polishing solution for metal; and performing polishing with a contact pressure between the polishing face and the face to be polished in the range of from 1000 to 25000 Pa.

  一种金属抛光液包括一种特定化合物和一种氧化剂。一种用于半导体基板的化学机械抛光方法，包括：提供由特定化合物和氧化剂组成的金属用抛光液；在抛光面和被抛光面通过金属用抛光液相互接触时，允许抛光面和被抛光面相对移动；以及在抛光面和被抛光面之间的接触压力为 1000 至 25000 Pa 的范围内进行抛光。
• Polishing composition and method of polishing with the same
  申请人：FUJI PHOTO FILM CO., LTD.

  公开号：EP1642949A1

  公开（公告）日：2006-04-05

  A polishing composition comprises: at least one compound selected from tetrazole compounds and derivatives thereof and anthranilic acid compounds and derivatives thereof; abrasive particles comprising associative abrasive particles; and an oxidizing agent.

  一种抛光组合物包括：至少一种选自四氮唑化合物及其衍生物和蚁酸化合物及其衍生物的化合物；由缔合磨料颗粒组成的磨料颗粒；以及一种氧化剂。