6,6'-didecyl-2,2'-binaphthalene-3,3'-diol | 1451919-53-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 6,6'-didecyl-2,2'-binaphthalene-3,3'-diol
• 英文别名: 7-Decyl-3-(6-decyl-3-hydroxynaphthalen-2-yl)naphthalen-2-ol；7-decyl-3-(6-decyl-3-hydroxynaphthalen-2-yl)naphthalen-2-ol
• CAS: 1451919-53-1
• 化学式: C₄₀H₅₄O₂
• 分子量: 566.868
• InChiKey: RYEAODSTRIVESW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  15.6
• 重原子数：
  42
• 可旋转键数：
  19
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  6,6'-didecyl-2,2'-binaphthalene-3,3'-diol 在 吡啶 、 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 3,9-didecyldinaphtho[2,3-b:2',3'-d]thiophene
  参考文献：
  名称：

  具有解决方案可加工性，高迁移率和高热耐久性的V型有机半导体

  摘要：

  V形有机半导体已通过大规模适用的合成路线进行了设计和合成。基于这种分子的溶液结晶膜表现出高性能的晶体管特性，最大迁移率高达9.5 cm 2 V -1 s -1，V型芯固有的高达150°C的显着热耐久性。

  DOI：

  10.1002/adma.201302086
• 作为产物：
  描述：

  Decylmagnesium bromide 在 正丁基锂 、 iron(III)-acetylacetonate 、 三溴化硼 作用下， 以 四氢呋喃 、 N-甲基吡咯烷酮 、 乙醚 、 正己烷 、 二氯甲烷 为溶剂， 反应 15.0h， 生成 6,6'-didecyl-2,2'-binaphthalene-3,3'-diol
  参考文献：
  名称：

  Furan fused V-shaped organic semiconducting materials with high emission and high mobility

  摘要：

  我们报告了一种制备二萘并[2,3-b:2′,3′-d]呋喃（DNF-V）衍生物的简便合成方法。DNF-V衍生物在固体中表现出高发射特性。基于烷基化DNF-V衍生物的溶液结晶晶体管表现出高达1.3 cm2 V-1 s-1的优异载流子迁移率，从而证明是一种新的可溶液加工的有源有机半导体，具有高发射和高迁移率。

  DOI：

  10.1039/c3cc47577h

文献信息

• NOVEL CHALCOGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND AND USE THEREOF
  申请人：JNC Corporation

  公开号：EP2818464A1

  公开（公告）日：2014-12-31

  [Problem] To provide an organic compound that is easy to synthesize, and has excellent chemical stability, semiconductor characteristics (high carrier mobility) and high solubility in a solvent. [Solution] A compound represented by formula (1) or formula (2) : wherein, in formula (1), X is oxygen, sulfur or selenium; n is 0 or 1; R1 to R3 are hydrogen, fluorine, alkyl having 1 to 20 carbons, aryl, pyridyl, furyl, thienyl, thiazolyl or the like. However, except for a case where X is selenium, a case where all of R1 to R3 are simultaneously hydrogen is excluded, and a case where X is sulfur and all of R1 are simultaneously butyl is also excluded. In formula (2), X is oxygen, sulfur or selenium; n is 0 or 1; R1 to R2 are hydrogen, alkyl having 1 to 20 carbons, aryl, pyridyl, furyl, thienyl, thiazolyl or the like; however, a case where all of R1 to R2 are simultaneously hydrogen is excluded.

  [问题] 提供一种易于合成、具有优异的化学稳定性、半导体特性（高载流子迁移率）和在 溶剂中的高溶解度的有机化合物。 [解决方案] 一种由式（1）或式（2）表示的化合物： 其中，在式 (1) 中，X 是氧、硫或硒；n 是 0 或 1；R1 至 R3 是氢、氟、具有 1 至 20 个碳原子的烷基、芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基、噻唑基或类似物。但是，除了 X 为硒的情况外，不包括 R1 至 R3 全部同时为氢的情况，也不包括 X 为硫且 R1 全部同时为丁基的情况。在式 (2) 中，X 是氧、硫或硒；n 是 0 或 1；R1 至 R2 是氢、含 1 至 20 个碳原子的烷基、芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基、噻唑基等；但不包括 R1 至 R2 全部同时为氢的情况。
• EP2818464
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• US9537110B2
  申请人：——

  公开号：US9537110B2

  公开（公告）日：2017-01-03
• [EN] NOVEL CHALCOGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND AND USE THEREOF<br/>[FR] NOUVEAU COMPOSÉ ORGANIQUE CONTENANT DU CHALCOGÈNE ET SON UTILISATION
  申请人：JNC CORP

  公开号：WO2013125599A1

  公开（公告）日：2013-08-29

  ［課題］合成が容易であり、化学的安定性に優れ、半導体特性（高いキャリア移動度）を有し、かつ溶媒に対する高い溶解性を有する有機化合物を提供する。 ［解決手段］式（１）または式（２）で表される化合物。［式（１）中、Ｘは酸素、硫黄またはセレンであり；ｎは０または１であり；Ｒ1～Ｒ3は水素、フッ素、炭素数１～２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリル等であり、ただし、Ｘがセレンの場合を除き、全てのＲ1～Ｒ3が同時に水素であることはなく、また、Ｘが硫黄であり、かつ全てのＲ1が同時にブチルであることはない。　式（２）中、Ｘは酸素、硫黄またはセレンであり；ｎは０または１であり；Ｒ1～Ｒ2は水素、炭素数１～２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリル等であり；ただし、全てのＲ1～Ｒ2が同時に水素であることはない。］
• V-Shaped Organic Semiconductors With Solution Processability, High Mobility, and High Thermal Durability
  作者：Toshihiro Okamoto、Chikahiko Mitsui、Masakazu Yamagishi、Katsumasa Nakahara、Junshi Soeda、Yuri Hirose、Kazumoto Miwa、Hiroyasu Sato、Akihito Yamano、Takeshi Matsushita、Takafumi Uemura、Jun Takeya

  DOI：10.1002/adma.201302086

  日期：2013.11

  V‐shaped organic semiconductors have been designed and synthesized via a large‐scale applicable synthetic route. Solution‐crystallized films based on such molecules have demonstrated high‐performance transistor properties with maximum mobilities of up to 9.5 cm2 V−1 s−1 as well as pronounced thermal durability of up to 150 °C inherent in the V‐shaped cores.

  V形有机半导体已通过大规模适用的合成路线进行了设计和合成。基于这种分子的溶液结晶膜表现出高性能的晶体管特性，最大迁移率高达9.5 cm 2 V -1 s -1，V型芯固有的高达150°C的显着热耐久性。