申请人:南京和颂材料科技有限公司
公开号:CN117820321A
公开(公告)日:2024-04-05
芘的分子结构是四个苯环相互共用碳碳双键构成的大共轭体系,根据反应活性与电子结构特征,分为1‑,3‑,6‑,8‑位、4‑,5‑,9‑,10‑位(即K区)与2‑,7‑位;1‑,3‑,6‑,8‑位电子密度大,容易发生亲电芳香取代反应,2‑,7‑位是电子云分布轨道的节点,电子云密度低,不易发生亲电取代反应。各位点取代对分子激发进而对激发态有不同程度的影响。本专利在4‑,5‑,9‑,10‑位修饰增大芘环的共轭体系,为电子受体部分;在1‑,3‑位带有烷基的噻吩与7‑位叔丁基为电子给体,设计合成芘衍生物双极性光电材料(I)与(II)。分子结构式如下:其中,R:8‑12烷基直链;X=H,Cl,NO2#imgabs0##imgabs1#