一系列新的基于碳酸亚乙烯phenothiazylene半导体聚合物,聚[3,7-(4'-十二烷氧基)phenothiazylene乙炔](P1),聚[3,7-(4'-十二烷氧基)phenothiazylene vinylene- ALT -1,4-亚苯基乙烯撑](P2),和聚[3,7-(4'-十二烷氧基)phenothiazylene vinylene- ALT -2,5-亚噻吩基亚乙烯基](P3),都通过Horner-Emmons反应被合成。FTIR和1个1 H NMR光谱证实,在聚合物中的亚乙烯基的结构是所有-反式(É)。P1的重均分子量(M w),发现P2和P3分别为27,000、22,000和29,000,多分散指数分别为1.91、2.05和2.25。P1,P2和P3的热谱图分别仅包含一个宽的玻璃化转变温度,分别在129、167和155°C,而没有观察到熔融特征。聚合物的紫外可见吸收光谱显示在315–370
一系列新的基于碳酸亚乙烯phenothiazylene半导体聚合物,聚[3,7-(4'-十二烷氧基)phenothiazylene乙炔](P1),聚[3,7-(4'-十二烷氧基)phenothiazylene vinylene- ALT -1,4-亚苯基乙烯撑](P2),和聚[3,7-(4'-十二烷氧基)phenothiazylene vinylene- ALT -2,5-亚噻吩基亚乙烯基](P3),都通过Horner-Emmons反应被合成。FTIR和1个1 H NMR光谱证实,在聚合物中的亚乙烯基的结构是所有-反式(É)。P1的重均分子量(M w),发现P2和P3分别为27,000、22,000和29,000,多分散指数分别为1.91、2.05和2.25。P1,P2和P3的热谱图分别仅包含一个宽的玻璃化转变温度,分别在129、167和155°C,而没有观察到熔融特征。聚合物的紫外可见吸收光谱显示在315–370