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6,7-dimethyl-1,3-dithia-5,8-diaza-cyclopenta[b]naphthalen-2-thione | 1415347-98-6

中文名称
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中文别名
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英文名称
6,7-dimethyl-1,3-dithia-5,8-diaza-cyclopenta[b]naphthalen-2-thione
英文别名
——
6,7-dimethyl-1,3-dithia-5,8-diaza-cyclopenta[b]naphthalen-2-thione化学式
CAS
1415347-98-6
化学式
C11H8N2S3
mdl
——
分子量
264.396
InChiKey
LBNZSWDOIUEXIJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.25
  • 重原子数:
    16.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.18
  • 拓扑面积:
    25.78
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    5.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    6,7-dimethyl-1,3-dithia-5,8-diaza-cyclopenta[b]naphthalen-2-thionemercury(II) diacetate 作用下, 以 氯仿溶剂黄146 为溶剂, 反应 12.0h, 以91%的产率得到6,7-dimethyl-1,3-dithia-5,8-diaza-cyclopenta[b]naphthalen-2-one
    参考文献:
    名称:
    取代基对新的方形平面双-双镍(喹喔啉-6,7-二硫代)体系的电子和电化学性能的影响:合成,光谱,电化学,晶体学和理论研究
    摘要:
    我们描述了一系列通式为[Bu 4 N] 2 [Ni(X 2 6 )的方形平面镍-双(喹喔啉-6,7-二硫代硫酸盐)配合物的合成,晶体结构,电子吸收光谱和电化学。,7-qdt)2 ],其中X = H(1a),Ph(2a),Cl(3)和Me(4)。这些化合物的溶液和固态电子吸收光谱行为以及电化学性质在很大程度上取决于取代基X的电子给体/接受性质,该取代基X附着在系统[Bu 4 N]的喹喔啉-6,7-二硫代磺酸盐环上2 [Ni(X 26,7-qdt)2 ]。尤其是,在可见光区观察到的电荷转移(CT)跃迁带受到取代基电子性质的极大影响。基于最高占据分子轨道(HOMO)到最低未占据分子轨道(LUMO)的间隙,描述了取代基对电子吸收和电化学的影响的可能解释,这进一步由基态电子结构计算支持。除此之外,在所有配合物中观察到的CT带对溶剂极性敏感。有趣的是,化合物1a,2a,3和4在E 1/2处出现的非常低
    DOI:
    10.1021/ic301017g
  • 作为产物:
    描述:
    5,6-diaminobenzene-1,3-dithiole-2-thione2,3-丁二酮溶剂黄146 为溶剂, 反应 1.5h, 以96%的产率得到6,7-dimethyl-1,3-dithia-5,8-diaza-cyclopenta[b]naphthalen-2-thione
    参考文献:
    名称:
    取代基对新的方形平面双-双镍(喹喔啉-6,7-二硫代)体系的电子和电化学性能的影响:合成,光谱,电化学,晶体学和理论研究
    摘要:
    我们描述了一系列通式为[Bu 4 N] 2 [Ni(X 2 6 )的方形平面镍-双(喹喔啉-6,7-二硫代硫酸盐)配合物的合成,晶体结构,电子吸收光谱和电化学。,7-qdt)2 ],其中X = H(1a),Ph(2a),Cl(3)和Me(4)。这些化合物的溶液和固态电子吸收光谱行为以及电化学性质在很大程度上取决于取代基X的电子给体/接受性质,该取代基X附着在系统[Bu 4 N]的喹喔啉-6,7-二硫代磺酸盐环上2 [Ni(X 26,7-qdt)2 ]。尤其是,在可见光区观察到的电荷转移(CT)跃迁带受到取代基电子性质的极大影响。基于最高占据分子轨道(HOMO)到最低未占据分子轨道(LUMO)的间隙,描述了取代基对电子吸收和电化学的影响的可能解释,这进一步由基态电子结构计算支持。除此之外,在所有配合物中观察到的CT带对溶剂极性敏感。有趣的是,化合物1a,2a,3和4在E 1/2处出现的非常低
    DOI:
    10.1021/ic301017g
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