通过界面合成方法已经获得了单层和多层2D聚
亚胺膜。但是,在2D多
亚胺中实现最大程度的结晶度仍然是一个巨大的挑战,这在很大程度上限制了远程传输性能。在这里,我们采用表面活性剂单层辅助界面合成(SMAIS)方法成功地分别制备了具有正方形和六角形晶格的含
卟啉和三嗪的聚
亚胺基2D聚合物(
PI-2DP)膜。合成
PI-2DP薄膜具有多晶多层膜,其可调厚度范围为6至200 nm,并且具有较大的晶畴(尺寸为100-150 nm)。被高结晶度和电活性
卟啉部分的存在所吸引,通过时间分辨太赫兹光谱研究了
PI-2DP的光电性能。通常,基于
卟啉的
PI-2DP 1膜具有p型半导体行为,其带隙为1.38 eV,空穴迁移率高达0.01 cm2 V-1 s-1,优于先前报道的基于聚
亚胺的材料。