tetrachloro(seleno)tungsten(VI) | 41549-02-4

• 分子结构分类: 无机化合物 - 均质非金属化合物 - 其他非金属卤化物
• 英文名称: tetrachloro(seleno)tungsten(VI)
• 英文别名: tungsten(VI) selenide tetrachloride
• CAS: 41549-02-4；160797-04-6
• 化学式: Cl₄SeW
• 分子量: 404.622
• InChiKey: MYGBCUJJUBUMOE-UHFFFAOYSA-J

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.37
• 重原子数：
  6.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetrachloro(seleno)tungsten(VI) 在 PPh₃ 作用下， 以 not given 为溶剂， 生成 tetrachlorotungsten;triphenylphosphane
  参考文献：
  名称：

  Drew, Michael G. B.; Page, Elizabeth M.; Rice, David A., Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, 1983, p. 61 - 64

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  antimony(III) selenide 、 六氯化钨 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 tetrachloro(seleno)tungsten(VI)
  参考文献：
  名称：

  Gas-phase electron-diffraction studies of the molecular structures of tetrachlorosulfidotungsten(VI), WSCl4, and tetrachloroselenotungsten(VI), WSeCl4

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ic00139a006
• 作为试剂：
  描述：

  三苯基膦 在 tetrachloro(seleno)tungsten(VI) 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 硒化三苯膦
  参考文献：
  名称：

  Drew, Michael G. B.; Page, Elizabeth M.; Rice, David A., Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, 1983, p. 61 - 64

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Tungsten dichalcogenide WS_2<i>x</i>Se_{2−2<i>x</i>} films <i>via</i> single source precursor low-pressure CVD and their (thermo-)electric properties
  作者：V. Sethi、D. Runacres、V. Greenacre、Li Shao、A. L. Hector、W. Levason、C. H. de Groot、G. Reid、R. Huang

  DOI：10.1039/d3ta00466j

  日期：——

  A series of novel single source precursors, [WECl₄(E′ⁿBu₂)] (E = S or Se; E′ = S or Se), are developed in this work to deposit stoichiometric WS_2xSe_2−2x (0 ≤ x ≤ 1) binary and ternary thin films.

  本研究开发了一系列新型单源前驱体 [WECl4(E′nBu2)]（E = S 或 Se；E′ = S 或 Se），用于沉积符合化学计量的 WS2xSe2-2x（0 ≤ x ≤ 1）二元和三元薄膜。