7,9-nonadecadiyn-1-phosphonic acid | 1232882-67-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机膦酸及其衍生物
• 英文名称: 7,9-nonadecadiyn-1-phosphonic acid
• 英文别名: Nonadeca-7,9-diynylphosphonic acid；nonadeca-7,9-diynylphosphonic acid
• CAS: 1232882-67-5
• 化学式: C₁₉H₃₃O₃P
• 分子量: 340.443
• InChiKey: OIEWQEABOGBHPX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.9
• 重原子数：
  23
• 可旋转键数：
  14
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.79
• 拓扑面积：
  63.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  diethyl 7,9-nonadecadiyn-1-phosphonate 在 三甲基溴硅烷 、 水 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 24.0h， 以82%的产率得到7,9-nonadecadiyn-1-phosphonic acid
  参考文献：
  名称：

  Ⅲ族氮化物基质上二乙炔烷基膦酸自组装单层的光聚合

  摘要：

  本文介绍了在包括GaN和Al x Ga 1- x N（AlGaN; x = 0.2和0.25）的III族氮化物衬底上可光聚合的烷基膦酸酯自组装单层（SAMs）的制备和表征。接触角测角法，可见吸收光谱和原子力显微镜用于评估二乙炔烷基膦酸（CH 3（CH 2）n -C≡C-C≡C-（CH 2）的SAM的形成，解吸和光聚合。m PO（OH）2；（m，n）=（3，11），（6，8）和（9，5））。与GaN基板一样（Ito，T .; Forman，SM; Cao，C .; Li，F .; Eddy，CR，Jr .; Mastro，MA; Holm，RT; Henry，RL; Hohn，K .; Edgar， JH朗缪尔2008，24，6630-6635），烷基膦酸形成于UV的SAM / O 3 -处理的AlGaN衬底从相对于其他主取代的烃与终端-COOH其甲苯溶液，-NH 2，-OH或-SH基团。Ⅲ

  DOI：

  10.1021/la100273q

文献信息

• Photopolymerization of Self-Assembled Monolayers of Diacetylenic Alkylphosphonic Acids on Group-III Nitride Substrates
  作者：Feng Li、Evgeniy Shishkin、Michael A. Mastro、Jennifer K. Hite、Charles R. Eddy、J. H. Edgar、Takashi Ito

  DOI：10.1021/la100273q

  日期：2010.7.6

  desorption, and photopolymerization of SAMs of diacetylenic alkylphosphonic acids (CH3(CH2)n−C≡C−C≡C−(CH2)mPO(OH)2; (m, n) = (3, 11), (6, 8), and (9, 5)). As with GaN substrates (Ito, T.; Forman, S. M.; Cao, C.; Li, F.; Eddy, C. R., Jr.; Mastro, M. A.; Holm, R. T.; Henry, R. L.; Hohn, K.; Edgar, J. H. Langmuir2008, 24, 6630−6635), alkylphosphonic acids formed SAMs on UV/O3-treated AlGaN substrates from

  本文介绍了在包括GaN和Al x Ga 1- x N（AlGaN; x = 0.2和0.25）的III族氮化物衬底上可光聚合的烷基膦酸酯自组装单层（SAMs）的制备和表征。接触角测角法，可见吸收光谱和原子力显微镜用于评估二乙炔烷基膦酸（CH 3（CH 2）n -C≡C-C≡C-（CH 2）的SAM的形成，解吸和光聚合。m PO（OH）2；（m，n）=（3，11），（6，8）和（9，5））。与GaN基板一样（Ito，T .; Forman，SM; Cao，C .; Li，F .; Eddy，CR，Jr .; Mastro，MA; Holm，RT; Henry，RL; Hohn，K .; Edgar， JH朗缪尔2008，24，6630-6635），烷基膦酸形成于UV的SAM / O 3 -处理的AlGaN衬底从相对于其他主取代的烃与终端-COOH其甲苯溶液，-NH 2，-OH或-SH基团。Ⅲ