摘要:
我们报告了一系列新型含吡咯的醌类化合物的合成和表征。通过加入吡咯单元来改变醌核结构具有两大优势:首先,吡咯的 N-烷基取代基可以作为增溶基团,从而实现溶液可加工性;其次,N-烷基取代基的变化很容易实现,从而大大丰富了该系列材料的种类。此外,保留的类醌核结构以及抽电子的末端封端基团确保了足够低的 LUMO 能级(低于真空度约 4.30-4.39 eV),满足了空气稳定 n 沟道有机半导体的要求。3b 的 X 射线晶体学数据显示,除支链烷基取代基外,整个分子呈现出很少见的合成构象,因而具有很高的平面度。基于这种含吡咯的类醌的溶液加工 OFET 在环境条件下显示出典型的 n 沟道 FET 特性,最大电子迁移率高达 0.014 cm2 V-1 s-1,离子/离子关值约为 104,这表明该系列材料有望成为可溶液加工的 n 沟道半导体候选材料,而采用吡咯分子构建类醌核心结构则为新型 n 沟道有机半导体的开发提供了一种有效的方法。