| 937804-29-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 卤代烷
• CAS: 937804-29-0
• 化学式: C₈H₄F₁₈O₆S₂Si₂
• 分子量: 658.39
• InChiKey: KAFAWGPKNZFVNA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.61
• 重原子数：
  36.0
• 可旋转键数：
  11.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  86.74
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  6.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  、 potassium germyl 以 乙醚 为溶剂， 以26%的产率得到1,2-digermyldisilane
  参考文献：
  名称：

  类丁烷硅锗氢化物的合成：为富锗半导体的 CVD 提供前驱体

  摘要：

  类丁烷 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1)、(GeH(3))(2)SiH(SiH(3)) (2) 和 (2) 的合成GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3) Si-Ge 氢化物在低温合成富锗 Si(1-x)Ge(x) 光电合金中的应用证明了。通过 FTIR、多核 NMR、质谱、卢瑟福背散射和密度泛函理论 (DFT) 模拟研究了这些化合物的组成、振动、结构和热化学性质。分析表明线性 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1) 和 (GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3)化合物以经典的正常 (n) 和 gauche (g) 构象异构体的混合物形式存在，在 22 摄氏度时似乎不会相互转化。 样品中的构象比例是使用新的拟合程序确定的，它结合了计算出的分子光谱，通过改变个体构象异构体的全局强度、频率尺度和混合系数来重现观察到的分子光谱。然后利用

  DOI：

  10.1021/ja060428j
• 作为产物：
  描述：

  全氟-1-丁磺酸 在 1,2-bis(p-tolyl)disilane 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 以95%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  类丁烷硅锗氢化物的合成：为富锗半导体的 CVD 提供前驱体

  摘要：

  类丁烷 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1)、(GeH(3))(2)SiH(SiH(3)) (2) 和 (2) 的合成GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3) Si-Ge 氢化物在低温合成富锗 Si(1-x)Ge(x) 光电合金中的应用证明了。通过 FTIR、多核 NMR、质谱、卢瑟福背散射和密度泛函理论 (DFT) 模拟研究了这些化合物的组成、振动、结构和热化学性质。分析表明线性 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1) 和 (GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3)化合物以经典的正常 (n) 和 gauche (g) 构象异构体的混合物形式存在，在 22 摄氏度时似乎不会相互转化。 样品中的构象比例是使用新的拟合程序确定的，它结合了计算出的分子光谱，通过改变个体构象异构体的全局强度、频率尺度和混合系数来重现观察到的分子光谱。然后利用

  DOI：

  10.1021/ja060428j