copper(I) N,N'-di-n-propylacetamidinate | 848737-16-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: copper(I) N,N'-di-n-propylacetamidinate
• 英文别名: [Cu((n)Pr-Me-amd)]2；N,N'-di-n-propylacetamidinato copper(I)；(Cu(I)(nPr-amd))2
• CAS: 848737-16-6
• 化学式: C₁₆H₃₄Cu₂N₄
• 分子量: 409.565
• InChiKey: WYTWRIAETZNSPV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  copper(I) N,N'-di-n-propylacetamidinate 在 氢气 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 铜
  参考文献：
  名称：

  来自液态铜 (I) 脒酸盐前体的超薄铜金属膜的原子层沉积

  摘要：

  我们报告了一种通过原子层沉积 (ALD) 在纵横比超过 35:1 的非常窄的孔中保形地生产薄、完全连续和高导电铜膜的方法。纯铜薄膜由新型脒铜（I）前体、N,N'-二仲丁基乙脒酸铜（I）和作为还原剂的分子氢气生长而成。这种铜前体在汽化过程中是液体，因为它的熔点 (77°C) 低于其汽化温度 (90-120°C)。因此，前体蒸气的传输是非常可再现和可控的。碳和氧杂质低于1原子%。每个循环的生长在 SiO 2 或 Si 3 N 4 表面上为 1.5-2 A/循环，但在金属 Ru、Cu 和 Co 表面上仅为 0.1-0.5 A/循环。在氧化物表面，铜原子形成孤立的铜微晶，在更多的沉积循环后融合成粗糙的多晶薄膜。在 Ru 和 Co 金属表面上，ALD Cu 密集成核，形成光滑且附着力强的薄膜，即使薄膜薄至 4 个原子层，这些薄膜也是连续的。在 2 nm Ru 基板上沉积 4 nm Cu 时，薄层电阻低于

  DOI：

  10.1149/1.2338632
• 作为产物：
  描述：

  copper(l) chloride 、 1,3-di-n-propylacetamidine 在 methyllithium 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 以83%的产率得到copper(I) N,N'-di-n-propylacetamidinate
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and Characterization of Copper(I) Amidinates as Precursors for Atomic Layer Deposition (ALD) of Copper Metal

  摘要：

  A series of copper(I) amidinates of the general type [(R ' NC(R)NR '')Cu](2) (R ' and R '' = n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl; R = methyl, n-butyl) have been synthesized and characterized. These compounds are planar dimers, bridged by nearly linear N-Cu-N bonds. Their properties (volatility, low melting point, high thermal stability, and self-limited surface reactivity) are well-suited for atomic layer deposition (ALD) of copper metal films that are pure, highly conductive, conformal, and strongly adherent to substrates.

  DOI：

  10.1021/ic048492u