Re2(μ-S)2(S2CN(CH2CH3)2)4 | 127926-96-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: Re2(μ-S)2(S2CN(CH2CH3)2)4
• 英文别名: [Re₂(μ-S)₂(S₂CNEt₂)₄]
• CAS: 127926-96-9
• 化学式: C₂₀H₄₀N₄Re₂S₁₀
• 分子量: 1029.64
• InChiKey: GMXHOJUEVOISSW-UHFFFAOYSA-J

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.63
• 重原子数：
  36.0
• 可旋转键数：
  8.0
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  12.96
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  10.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  tetraethylammonium tetrathioperrhenate 、 sodium diethyldithiocarbamate trihydrate 在 air 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 以63%的产率得到Re2(μ-S)2(S2CN(CH2CH3)2)4
  参考文献：
  名称：

  Murray, Henry H.; Wei, Liwen; Sherman, Suzanne E., Inorganic Chemistry, 1995, vol. 34, # 4, p. 841 - 853

  摘要：

  DOI：

文献信息

• The influence of precursor on rhenium incorporation into Re-doped MoS₂ (Mo_1−xRe_xS₂) thin films by aerosol-assisted chemical vapour deposition (AACVD)
  作者：Naktal Al-Dulaimi、Edward A. Lewis、Nicky Savjani、Paul D. McNaughter、Sarah J. Haigh、M. Azad Malik、David J. Lewis、Paul O’Brien

  DOI：10.1039/c7tc01903c

  日期：——

  The molecular precursors [Mo(S2CNEt2)4] (1), [Re(S2CC6H5)(S3CC6H5)2] (2), and [Re2(μ-S)2(S2CNEt2)4] (3) were used to deposit thin films of Re-doped MoS2 at 550 °C by aerosol assisted chemical vapour Deposition (AACVD). ICP-OES was used to quantify the amount of Re dopant in each film which range from ca. 2–17 at% Re, with greater incorporation of Re from films using precursor (3). In general, lightly

  分子前体[Mo（S 2 CNEt 2）4 ]（1），[Re（S 2 CC 6 H 5）（S 3 CC 6 H 5）2 ]（2）和[Re 2（μ-S）2（S 2 CNEt 2）4 ]（3）用于通过气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）在550°C沉积Re-掺杂的MoS 2薄膜。ICP-OES用于量化每张膜中Re掺杂剂的量，范围从大约0。Re含量为2-17 at％，使用前体（3）可以使薄膜中的Re含量更高。通常，轻掺杂薄膜通过EDX光谱图和p-XRD测量显示出元素均质性和结构保留的证据。然而，拉曼光谱法表明，由于重掺杂（约> 4–7 at％Re），Mo 2的E 2g和A 1g光学声子的消失会丢失MoS 2的结构。，这归因于Re的较大5d轨道引起的层内Re-Re键的引入。电子显微镜显示，掺入Re掺杂剂原子也极大地影响了所制得膜的形貌，从层状结构到簇和小花，尽管在相似的掺杂水平下，由两种precursor前体制得的膜的形貌均相似。