(E)-2-(5-(benzo[b]thiophen-2-yl)thiophen-2-yl)-2'-(5-bromothiophen-2-yl)-1,1'-bis(2-ethylhexyl)-[4,4'-biimidazolylidene]-5,5'(1H,1'H)-dione | 1543111-97-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: (E)-2-(5-(benzo[b]thiophen-2-yl)thiophen-2-yl)-2'-(5-bromothiophen-2-yl)-1,1'-bis(2-ethylhexyl)-[4,4'-biimidazolylidene]-5,5'(1H,1'H)-dione
• CAS: 1543111-97-2
• 化学式: C₃₈H₄₃BrN₄O₂S₃
• 分子量: 763.887
• InChiKey: HZYTVFIMJUNOCU-JEIPZWNWSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  10.98
• 重原子数：
  48.0
• 可旋转键数：
  15.0
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.42
• 拓扑面积：
  65.34
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  7.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4,7-双(2-三甲基硅烷基噻吩-5-基)-2,1,3-苯并噻二唑 、 (E)-2-(5-(benzo[b]thiophen-2-yl)thiophen-2-yl)-2'-(5-bromothiophen-2-yl)-1,1'-bis(2-ethylhexyl)-[4,4'-biimidazolylidene]-5,5'(1H,1'H)-dione 在 四(三苯基膦)钯 、 三(邻甲基苯基)磷 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 5.0h， 以45%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Conjugated electron donor–acceptor molecules with (E)-[4,4′-biimidazolylidene]-5,5′(1H,1′H)-dione for new organic semiconductors

  摘要：

  报告了具有(E)-[4,4â²-双咪唑亚基]-5,5â²(1H,1â²H)-二酮（BID）分子的新型共轭DâA分子BTBID、BFBID、TBID、2BIDBDT和2BIDBT。根据各自的吸收光谱和氧化还原电位，估算了它们的HOMO（§5.30至§5.52 eV）、LUMO（§3.81至§3.86 eV）和带隙（1.46至§1.68 eV）。通过延长共轭长度，可以有效地调节HOMO能量和带隙。介绍了 BTBID 的晶体结构。晶体内存在分子间电子供体与受体的相互作用，但不存在分子间电子供体与受体的相互作用。利用传统的溶液加工技术制造了具有这些共轭分子薄膜的 OFET，并观察到了 p 型半导体特性。与 BTBID 和 BFBID 相比，TBID、2BIDBDT 和 2BIDBT 薄膜的空穴迁移率相对较高，热退火后分别达到 0.037 cm2 Vâ1 sâ1 、0.022 cm2 Vâ1 sâ1 和 0.020 cm2 Vâ1 sâ1，尽管 2BIDBDT 和 2BIDBT 薄膜的形态较差。

  DOI：

  10.1039/c3tc31741b
• 作为产物：
  描述：

  、 1-苯并噻吩-2-基(三甲基)锡烷 在 四(三苯基膦)钯 、 三(邻甲基苯基)磷 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 3.0h， 以53%的产率得到(E)-2-(5-(benzo[b]thiophen-2-yl)thiophen-2-yl)-2'-(5-bromothiophen-2-yl)-1,1'-bis(2-ethylhexyl)-[4,4'-biimidazolylidene]-5,5'(1H,1'H)-dione
  参考文献：
  名称：

  Conjugated electron donor–acceptor molecules with (E)-[4,4′-biimidazolylidene]-5,5′(1H,1′H)-dione for new organic semiconductors

  摘要：

  报告了具有(E)-[4,4â²-双咪唑亚基]-5,5â²(1H,1â²H)-二酮（BID）分子的新型共轭DâA分子BTBID、BFBID、TBID、2BIDBDT和2BIDBT。根据各自的吸收光谱和氧化还原电位，估算了它们的HOMO（§5.30至§5.52 eV）、LUMO（§3.81至§3.86 eV）和带隙（1.46至§1.68 eV）。通过延长共轭长度，可以有效地调节HOMO能量和带隙。介绍了 BTBID 的晶体结构。晶体内存在分子间电子供体与受体的相互作用，但不存在分子间电子供体与受体的相互作用。利用传统的溶液加工技术制造了具有这些共轭分子薄膜的 OFET，并观察到了 p 型半导体特性。与 BTBID 和 BFBID 相比，TBID、2BIDBDT 和 2BIDBT 薄膜的空穴迁移率相对较高，热退火后分别达到 0.037 cm2 Vâ1 sâ1 、0.022 cm2 Vâ1 sâ1 和 0.020 cm2 Vâ1 sâ1，尽管 2BIDBDT 和 2BIDBT 薄膜的形态较差。

  DOI：

  10.1039/c3tc31741b