描述了一种用于结晶,无氧化物的p嵌段
金属和准
金属的非
水电沉积的通用电
化学系统,并且证明了通过组合这些试剂的混合物,该系统适用于二元半导体合
金的电沉积。卤化
金属四丁基
铵,[N n Bu 4 ] [InCl 4 ],[N n Bu 4 ] [SbCl 4 ],[N n Bu 4 ] [BiCl 4 ],[N n Bu 4 ] 2 [SeCl 6 ]和[ N n Bu 4 ] 2 [TeCl 6[]易溶于CH 2 Cl 2并在[N n Bu 4]存在下形成具有良好稳定性的可重现的电
化学体系] Cl支持电解质。制备的电解质显示出宽的电位窗口,并且已经证明了
铟,
锑,
铋,
碲和
硒在
玻璃碳和
氮化钛电极上的电沉积。通过扫描电子显微镜,能量色散X射线分析和粉末X射线衍射对沉积的元素进行表征。试剂的相容性允许制备包含几种卤化
金属物质的单一电解质,从而可以电沉积二元材料,如InSb所示。因此,这种室温,“自下而上