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1-Naphthol formaldehyde | 25359-91-5

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
1-Naphthol formaldehyde
英文别名
formaldehyde;naphthalen-1-ol
1-Naphthol formaldehyde化学式
CAS
25359-91-5
化学式
C11H10O2
mdl
——
分子量
174.2
InChiKey
FLGPRDQFUUFZBL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 密度:
    1.44g/cm3 at 20℃
  • LogP:
    0.3-5 at 35℃ and pH7

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.36
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    37.3
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    萘酚聚合甲醛对甲苯磺酸4-甲基-2-戊酮 为溶剂, 反应 5.0h, 以to obtain a 1-naphthol/formaldehyde condensate的产率得到1-Naphthol formaldehyde
    参考文献:
    名称:
    RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION
    摘要:
    一种抗阻层膜形成组合物包括一个聚合物,该聚合物包括由公式(1)所示的重复单元,并且具有分子量为3000至10000的聚苯乙烯降低的重量平均分子量,以及溶剂。R3到R8中的每一个分别表示以下公式(2)或类似物所示的基团。R1表示单键或类似物。R2表示氢原子或类似物。
    公开号:
    US20130310514A1
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文献信息

  • COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM AND METHOD FOR FORMING PATTERN
    申请人:MINEGISHI Shin-ya
    公开号:US20120252217A1
    公开(公告)日:2012-10-04
    A resist underlayer film-forming composition includes (A) a polymer that includes a repeating unit shown by a formula (1), and has a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 3000 to 10,000, and (B) a solvent, wherein R 3 to R 8 individually represent a group shown by the following formula (2) or the like, —O—R 1 ≡R 2 (2) wherein R 1 represents a single bond or the like, and R 2 represents a hydrogen atom or the like.
    一种抗反射底层膜形成组合物,包括(A)一种聚合物,其中包括由公式(1)所示的重复单元,并具有聚苯乙烯还原重均分子量在3000至10000之间,以及(B)一种溶剂,其中R3到R8分别表示由以下公式(2)或类似公式所示的基团,-O-R1≡R2(2),其中R1表示一个单键或类似物,R2表示氢原子或类似物。
  • RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN
    申请人:Minegishi Shin-ya
    公开号:US20120270157A1
    公开(公告)日:2012-10-25
    A resist underlayer film-forming composition includes a polymer including a structural unit shown by a formula (1), and having a polystyrene-reduced weight average molecular weight of from 3000 to 10000, and a solvent. Each of R 3 to R 8 independently represents a group shown by a formula (2), a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, or a glycidyl ether group having 3 to 6 carbon atoms, wherein at least one of R 3 to R 8 represents the group shown by the formula (2).
    一种抗蚀底层膜形成组合物包括一种聚合物,其中包括一个由公式(1)表示的结构单元,其聚苯乙烯减少的重量平均分子量为3000至10000,以及一种溶剂。其中R3到R8中的每个独立表示由公式(2)表示的基团,氢原子,羟基,具有1至6个碳原子的烷基,具有1至6个碳原子的烷氧基,具有2至10个碳原子的烷氧羰基,具有6至14个碳原子的芳基或具有3至6个碳原子的环氧醚基团,其中R3到R8中至少有一个表示为公式(2)所示的基团。
  • Resist underlayer film-forming composition
    申请人:JSR Corporation
    公开号:US08859185B2
    公开(公告)日:2014-10-14
    A resist underlayer film-forming composition includes a polymer including a repeating unit shown by a formula (1), and having a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 3000 to 10,000, and a solvent. Each of R3 to R8 individually represent a group shown by the following formula (2) or the like. R1 represents a single bond or the like. R2 represents a hydrogen atom or the like.
    一种抗蚀底层膜形成组合物包括聚合物,该聚合物包括由公式(1)所示的重复单元,并具有3000至10000的聚苯乙烯还原重均分子量,以及溶剂。R3到R8中的每个分别表示以下公式(2)或类似物所示的基团。R1表示单键或类似物。R2表示氢原子或类似物。
  • Composition for forming resist underlayer film and method for forming pattern
    申请人:Minegishi Shin-ya
    公开号:US08513133B2
    公开(公告)日:2013-08-20
    A resist underlayer film-forming composition includes (A) a polymer that includes a repeating unit shown by a formula (1), and has a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 3000 to 10,000, and (B) a solvent, wherein R3 to R8 individually represent a group shown by the following formula (2) or the like, —O—R1≡R2  (2) wherein R1 represents a single bond or the like, and R2 represents a hydrogen atom or the like.
    一种抗蚀底层膜形成组合物包括(A)聚合物,该聚合物包括由公式(1)表示的重复单元,并具有聚苯乙烯减少的重量平均分子量在3000至10000之间,以及(B)溶剂,其中R3至R8分别表示由以下公式(2)或类似物表示的基团,-O-R1≡R2(2)其中R1表示单键或类似物,R2表示氢原子或类似物。
  • Resist underlayer film-forming composition and method for forming pattern
    申请人:Minegishi Shin-ya
    公开号:US09029069B2
    公开(公告)日:2015-05-12
    A resist underlayer film-forming composition includes a polymer including a structural unit shown by a formula (1), and having a polystyrene-reduced weight average molecular weight of from 3000 to 10000, and a solvent. Each of R3 to R8 independently represents a group shown by a formula (2), a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, or a glycidyl ether group having 3 to 6 carbon atoms, wherein at least one of R3 to R8 represents the group shown by the formula (2).
    一种抗蚀底层膜形成组合物包括聚合物和溶剂。聚合物包括结构单元,其由式(1)表示,并且具有聚苯乙烯降低重量平均分子量在3000至10000之间。R3至R8中的每个独立地表示由式(2)表示的基团、氢原子、羟基、具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的烷氧基、具有2至10个碳原子的烷氧羰基、具有6至14个碳原子的芳基或具有3至6个碳原子的环氧乙烷基,其中至少一个R3至R8表示由式(2)表示的基团。
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