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bis(tetraethylammonium)hexachlorotellurate(IV) | 17498-86-1

中文名称
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中文别名
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英文名称
bis(tetraethylammonium)hexachlorotellurate(IV)
英文别名
bis(tetraethylammonium) hexachlorotellurate;tetraethylammonium hexachlorotellurate
bis(tetraethylammonium)hexachlorotellurate(IV)化学式
CAS
17498-86-1
化学式
2C8H20N*Cl6Te
mdl
——
分子量
600.825
InChiKey
JKVIDZQHIRITCL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.64
  • 重原子数:
    16.0
  • 可旋转键数:
    4.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    具有强室温发射性的无铅零维氯化碲(IV)-有机杂化物
    摘要:
    尽管目前在基于“无铅”的低维主族金属卤化物的发光材料方面取得了进展,但要合成具有强烈环境发射,在可见光范围内具有激发特性的Te(IV)卤化物杂化物,作为有效和稳定的潜在磷光体,仍具有挑战性。应用程序。此处报道的是一种(苄基三乙铵)2 TeCl 6零维杂化材料,具有在可见光范围内的激发特征,并且具有强室温,宽带,由于自陷激子(STE)引起的固有发光(PLQY〜15%)。此外,概念验证的LED架构演示了使用可见光激发源成功进行的光学下转换。在此,独家采用“常规”八面体Te(IV具有最小静态畸变的卤化物单元结构提供了一个独特的机会来揭示5s 2孤对电子在塑造发射特性中的作用。这项工作可能会开辟新的途径,以揭示孤对立体性在控制低维杂种中控制PLQY中的作用,这已证明对报道的基于(Sb,Sn)的低维5s 2金属卤化物杂化材料具有挑战性。
    DOI:
    10.1039/d0tc05752e
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文献信息

  • Intensity studies on the Raman-active fundamentals of hexahalogeno-anions of antimony(V) and tellurium(IV); the calculation of parallel and perpendicular bond-polarisability derivatives and Raman-band excitation profiles of the hexabromotellurate(IV) ion
    作者:Robin J. H. Clark、Maria Leonor Duarte
    DOI:10.1039/dt9760002081
    日期:——
    for the polarisability derivatives ᾱMX′, α‖′ and α⊥′ for [SbCl6]–, [TeCl6]2–, and [TeBr6]–2. The α‖′ values for TeIVX are 40–50% higher than those for SnIVX, from which it is deduced that the a1g* molecular orbital which accommodates the lone pair of s electrons in the case of TeIV is significantly involved in the Te–X bonding. Detailed excitation profiles of the ν(a1g) and ν(eg) fundamentals of [TeBr6]2–
    溶液的拉曼光谱(一般乙腈)的离子的[的SbCl 6 ] -,[TeCl 6 ] 2-和[TeBr 6 ] 2-已被记录,并且为ν的频率精确的值1(一1克),N 2(ë Ý)。和(在某些情况下)ν 5(吨2克)的报告基本面。每个离子的基本强度已使用旋转采样技术通过4–6条不同的激发线进行了测量,并通过参考935-cm –1进行了报告。高氯酸根离子的内标线。强度的结果,其在预共振拉曼效应方面进行处理,已外推至零激振频率到屈服值的极化性衍生物ᾱ MX ',α ‖ '和α ⊥ '的[的SbCl 6 ] -,[ TeCl 6 ] 2–和[TeBr 6 ] –2。Te IV X的α ′值比Sn IV X的α‖值高40–50%,由此推论出一个a 1 g *分子轨道可容纳s的孤对。在Te IV情况下,电子显着参与了Te–X键。通过10条不同激发线的染料和离子激光测量,获得了[TeBr 6 ] 2–在乙腈中的ν(a
  • Mössbauer and T.G.A studies of some hexahalotellurate(IV) salts
    作者:E.R. Clark、W.R. McWhinnie、J. Mallaki、N.S. Dance、C.H.W. Jones
    DOI:10.1016/s0020-1693(00)88469-8
    日期:1980.1
    of tellurium(IV) oxide with concentrated hydrochloric acid gives a solution from which (Ph4As)2TeCl6 may be precipitated. This material has 125Te Mossbauer parameters which suggest that the anion may be distorted towards, C3v symmetry. By contrast the hexabromotellurate and the hexachlorotellurate formed when a benzene solution of TeCl4 is treated with Ph4AsCl are ‘normal’. TGA studies show that the
    氧化(IV)与浓盐酸的反应生成了一种溶液,从该溶液中可以沉淀出(Ph4As)2TeCl6。该材料的参数为125 Te Mossbauer,这表明阴离子可能朝C3v对称方向变形。相比之下,当TeCl4的苯溶液用Ph4AsCl处理时形成的六碲酸盐和六氯碲酸盐是“正常”的。TGA研究表明,六氯和六碲酸四甲基铵或多或少干净地分解为四卤化和卤化。四菌根盐的分解更复杂。
  • Crystal structure, luminescent and thermochromic properties of bis(tetraethylammonium) hexachlorotellurate(IV)
    作者:B. V. Bukvetskii、T. V. Sedakova、A. G. Mirochnik
    DOI:10.1134/s1070328410090034
    日期:2010.9
    The crystal structure of (C2H5)4N)2TeCl6 was determined by X-ray diffraction (a = 14.130(2) Å, b = 14.547(2)Å, c = 13.296(2)Å, β= 90.356(3)°; space group C2/c, Z = 4, ρ(calcd) = 1.387 g/cm3). The crystal structure is composed of the [TeCl6]2− anions and tetraethylammonium cations ((C2H5)4N)+. The electronic and geometric aspects that determine the spectral luminescence and thermochromic properties of
    通过X射线衍射确定(C 2 H 5)4 N)2 TeCl 6的晶体结构(a = 14.130(2)Å,b = 14.547(2)Å,c = 13.296(2)Å,β= 90.356(3)°;空间群C 2 / c,Z = 4,ρ (计算值) = 1.387 g / cm 3)。晶体结构由[TeCl 6 ] 2-阴离子和四乙阳离子((C 2 H 5)4 N)+组成。。讨论了确定配合物的光谱发光和热致变色性质的电子和几何方面。
  • Dance, Nigel S.; Dobud, Pablo; Jones, Colin H. W., Canadian Journal of Chemistry, 1981, vol. 59, p. 913 - 917
    作者:Dance, Nigel S.、Dobud, Pablo、Jones, Colin H. W.
    DOI:——
    日期:——
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