Oligomere Verbindungen mit säurelabilen Schutzgruppen und damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch
申请人:HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
公开号:EP0525627A1
公开(公告)日:1993-02-03
Die Erfindung betrifft Verbindungen der allgemeinen Formel I
worin
X ein Phenyl-, [1]Naphthyl- oder [2]Naphthylrest ist, der jeweils mit mindestens einer tert.-Butox- ycarbonyloxygruppe substituiert ist und gegebenfalls einen oder mehr als einen zusätzlichen Substituenten aufweist,
R1 für ein Wasserstoffatom, einen (C1-C6)Alkyl-, einen (C6-C10)Arylrest oder einen der Reste X steht und
R2 eine (C4-C12)Alkylen-, (C4-C12)Alkenylen- oder (C4-C12)Alkinylengruppe ist, in der gegebenenfalls bis zu drei Methylengruppen durch Brückenglieder, die mindestens ein Heteroatom aufweisen, wie -O-, -S-, -NR3-, -CO-, -CO-O-, -CO-NH-, -O-CO-NH-, -NH-CO-NH-, -CO-NH-CO-, -S02-, -S02-0-, oder -S02-NH-, ersetzt sind, (C4-C12)-Cycloalkylen-, (C4-C12)Cycloalkenylen- oder (C8-Ci6)-Arylenbisalkylrest, in dem gegebenenfalls bis zu drei Methylengruppen des aliphatischen Teils durch Brückenglieder der oben genannten Art ersetzt sind und der im aromatischen Teil durch Fluor-, Chlor- oder Bromatome, durch (C1-C4)Alkyl-, (C1-C4)Alkoxy-, Nitro-, Cyano- oder tert.-Butoxycarbonyloxygruppen substituiert sein kann, bedeuten, wobei
R3 für einen Acyl-, insbesondere einen (C1-C6)-Alkanoylrest, und
n für eine ganze Zahl von 2 bis 50, vorzugsweise 5 bis 20, steht.
und Verfahren zu ihrer Herstellung sowie positiv arbeitende strahlungsempfindliche Gemische, die diese Verbindungen als Lösungsinhibitoren enthalten. Sie betrifft weiterhin ein damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial, das für Photoresists, elektrische Bauteile und Druckplatten sowie zum Formteilätzen geeignet ist.
本发明涉及通式 I 的化合物
其中
X 是
苯基、[1]
萘基或[2]
萘基,其中每个基团都被至少一个叔丁
氧羰
氧基取代,并可选择具有一个或多个附加取代基、
R1 是
氢原子、(C1-C6)烷基、(C6-C10)芳基或 X 基之一,以及
R2 是(C4-C12)亚烷基、(C4-C12)亚
烯基或(C4-C12)亚炔基,其中最多可有三个亚
甲基通过桥基连接、至少有一个杂原子,如-O-、-S-、-NR3-、-CO-、-CO-O-、-CO-NH-、-O-CO-NH-、-NH-CO-NH-、-CO-NH-CO-、-S02-、-S02-0-或-S02-NH-,(C4-C12)环亚烷基、(C4-C12)环
烯基或(C8-Ci6)芳基双烷基,其中
脂肪族部分的最多三个亚
甲基可选择被上述类型的桥基取代,而芳香族部分则被
氟、
氯或
溴原子、(C1-C4)烷基、(C1-C4)烷
氧基、硝基、
氰基或叔丁基取代。-丁
氧羰
氧基基团,其中
R3 代表酰基,特别是 (C1-C6) 烷酰基,以及
n 是 2 至 50 的整数,最好是 5 至 20。
本发明还涉及这些化合物及其制备工艺,以及含有这些化合物作为溶液
抑制剂的正工作辐射敏感混合物。本发明还涉及一种用其生产的记录材料,该材料适用于光刻胶、电子元件和印刷板以及模制件蚀刻。