Dehydrocholsaeure | 7276-59-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 类固醇和类固醇衍生物
• 英文名称: Dehydrocholsaeure
• 英文别名: 3,7,12-Trioxocholan-24-oic acid；4-(10,13-dimethyl-3,7,12-trioxo-1,2,4,5,6,8,9,11,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl)pentanoic acid
• CAS: 7276-59-7
• 化学式: C₂₄H₃₄O₅
• mdl: MFCD00066410
• 分子量: 402.531
• InChiKey: OHXPGWPVLFPUSM-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  581.5±50.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.172±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.6
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.83
• 拓扑面积：
  88.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Dehydrocholsaeure 在 碳酸氢钠 、 N,N'-羰基二咪唑 作用下， 以 水 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 7.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

  摘要：

  【问题】提供具有良好的CD均一性（CDU）的光阻组成物。【解决方案】盐，酸发生剂和光阻组成物，由式（I）表示。 [Q1和Q2：分别为F或全氟烷基；R1和R2：分别为H，F或全氟烷基；z：0〜6的整数；X1：* - CO- O-，* - O- CO-等；A1：**-L21-W1-L22-CO-O-L23-；W1：可能具有取代基的二价脂环烃基；L21，L22和L23：单键或烷基；R3：可能具有取代基的环状烃基；R4，R5和R6：分别为卤素原子，全氟烷基或烷基；m4和m5：0〜4的整数，m6：0〜5的整数】【选择图】无。

  公开号：

  JP2020094038A

文献信息

• POLYMER-CARBOHYDRATE-LIPID CONJUGATES
  申请人：Wu Nian

  公开号：US20120202890A1

  公开（公告）日：2012-08-09

  The invention comprises compounds, methods of making, and methods of using. The compounds may have a backbone and three appended functional groups: one lipid, one hydrophilic polymer, and one carbohydrate. Specific functional groups may be selected for specific applications in formulating pharmaceuticals, cosmetics, nutriceuticals, and the like. A variety of linkers between the backbone and functional groups may also be selected to optimize performance.

  该发明包括化合物、制备方法和使用方法。这些化合物可能具有一个主干和三个附加的功能基团：一个脂质基团、一个亲水性聚合物基团和一个碳水化合物基团。特定的功能基团可以根据在制备药物、化妆品、营养保健品等方面的具体应用而选择。还可以选择各种连接剂来优化主干和功能基团之间的性能。
• RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20200249571A1

  公开（公告）日：2020-08-06

  A resist composition comprising a sulfonium salt having formula (1) as PAG, a base polymer, and an organic solvent, when processed by lithography, has light transmittance, acid diffusion suppressing effect, and excellent lithography performance factors such as DOF, LWR and MEF. A lithography process for forming a resist pattern from the composition is also provided.

  一种抗蚀组合物，包括具有公式（1）作为PAG的磺酸盐、基础聚合物和有机溶剂。在光刻工艺中加工时，该组合物具有光透过率、抑制酸扩散效果和优异的光刻性能因素，例如DOF、LWR和MEF。还提供了一种从该组合物形成抗蚀图案的光刻工艺。
• ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20220127225A1

  公开（公告）日：2022-04-28

  An onium salt having formula (1) serving as an acid diffusion inhibitor and a chemically amplified resist composition comprising the acid diffusion inhibitor are provided. When processed by lithography, the resist composition forms a pattern having minimal defects and excellent lithography performance factors such as CDU, LWR and DOF.

  提供一种化学式为(1)的盐类，作为酸扩散抑制剂，并提供一种化学增强型光刻胶组合物，其中包括该酸扩散抑制剂。当通过光刻技术进行加工时，该光刻胶组合物形成的图案具有最小的缺陷和出色的光刻性能因子，如CDU、LWR和DOF。
• HIGHLY MONODISPERSE BRANCHED PEG-LIPID CONJUGATES
  申请人：Wu Nian

  公开号：US20120232169A1

  公开（公告）日：2012-09-13

  (PEG)-lipid conjugates and methods of preparation are disclosed herein. Methods of preparation may involve stepwise addition of small PEG oligomers to a glycerol backbone until a desired chain size is attained. Polymers resulting from the syntheses may be highly monodisperse. The resulting polymers may comprise branched polyethyleneglycol (PEG)-lipid conjugates. The present disclosure may provide several advantages such as simplified synthesis, high product yield and low cost for starting materials. The present synthesis method may be suitable for preparing a wide range of conjugates such as PEG lipid conjugates having a glycerol-like central backbone covalently attached to two or more monodisperse PEG chains and a lipid comprising a range of diesters made from fatty acids or bile acids.

  本文揭示了(PEG)-脂质共轭物及其制备方法。制备方法可能涉及将小的PEG寡聚体逐步添加到甘油骨架中，直到达到所需的链长。合成产物可能具有高度单分散性。所得的聚合物可能包括分支的聚乙二醇(PEG)-脂质共轭物。本公开可能提供多种优点，如简化合成、高产率和低起始材料成本。本合成方法可能适用于制备各种共轭物，如具有类甘油中心骨架的PEG脂质共轭物，其与两个或更多单分散PEG链和脂质共价连接，并包含一系列由脂肪酸或胆汁酸制成的二酯。
• Sulfonium salt, resist composition, and patterning process
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US10754248B2

  公开（公告）日：2020-08-25

  The present invention provides a sulfonium salt capable of providing a resist composition having few defects in photolithography where a high energy beam is used as a light source, and excellent in lithography performance by controlling acid diffusion. The present invention was accomplished by a sulfonium salt including an anion and a cation, the cation having a partial structure represented by the following general formula (1), except for a sulfonium salt having a cation represented by the following general formula (1′),

  本发明提供了一种锍盐，能够提供一种在使用高能量光束作为光源的光刻技术中缺陷很少的抗蚀剂组合物，并通过控制酸扩散实现优异的光刻性能。 本发明是由包括阴离子和阳离子的锍盐实现的，阳离子具有以下通式(1)表示的部分结构，但具有以下通式(1′)表示的阳离子的锍盐除外、