| 54116-08-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机硫酸及其衍生物
• CAS: 54116-08-4
• 化学式: C15H32NaO5S
• 分子量: 347.5
• InChiKey: VCRCIQHACPIYDT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.75
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  16
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  81.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  5

文献信息

• Metal polishing composition
  申请人：SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

  公开号：US20040244300A1

  公开（公告）日：2004-12-09

  An object of the present invention is to provide a metal polishing composition which can polish a metal such as Cu and Ta at a high speed, has a higher efficiency of washing for a hydrophobic low dielectric constant film, and is excellent stability without precipitation of a polishing particle during storage (excellent in stability for storing). The object is achieved by a metal polishing composition comprising an anionic surfactant having 2 or more anionic functional groups in a molecule, a polishing abrasive, an inorganic salt, and water.

  本发明的目的是提供一种金属抛光组合物，它可以高速抛光铜和钽等金属，对疏水性低介电常数膜具有更高的洗涤效率，并且在储存过程中抛光粒子不会沉淀，具有极佳的稳定性（储存稳定性极佳）。本发明的目的是通过一种金属抛光组合物来实现的，该组合物包括分子中含有 2 个或 2 个以上阴离子官能团的阴离子表面活性剂、抛光研磨剂、无机盐和水。