学术工作者和工业合作伙伴都非常希望对液晶存在的温度域进行
化学编程。这项贡献建议结合经验方法,该方法依靠介晶分子的系统
化学取代,然后进行热表征,以及对
化学扰动引起的影响进行合理的热力学评估。考虑到温度相关的粘性吉布斯自由能密度(CFED)与使用Clapeyron方程建模的压力-温度相图之间存在相似性,
化学扰动被视为沿相界的压力增量,它控制了热致液晶特性。以熟悉的两亲性两性
氰基
联苯型介晶为模型,定量分析了(i)芳族极性头的甲基取代和(ii)非极性柔性烷基链末端的庞大甲
硅烷基的连接对熔化和澄清温度的影响。专门的工作集中在将热力学合理化转化为主要对设计具有特定技术应用的液晶感兴趣的合成
化学家可以使用的预测工具中。