bischloro(3-dimethylaminopropyl)gallium

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: bischloro(3-dimethylaminopropyl)gallium
• 英文别名: Cl2Ga[(CH2)3NMe2]；3-dichlorogallanyl-N,N-dimethylpropan-1-amine
• 化学式: C₅H₁₂Cl₂GaN
• 分子量: 226.786
• InChiKey: BVBMWUCASCEZRQ-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.9
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bischloro(3-dimethylaminopropyl)gallium 在 LiBHEt₃ 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Fischer, Roland A.; Miehr, Alexander; Priermeier, Thomas, Chemische Berichte, 1995, vol. 128, # 8, p. 831 - 844

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  gallium(III) trichloride 、 N,N-二甲基-3-氯丙胺 在 magnesium 、 1,2-二溴乙烷 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲苯 为溶剂， 反应 35.0h， 以40.8 g的产率得到bischloro(3-dimethylaminopropyl)gallium
  参考文献：
  名称：

  THIN-FILM FORMING RAW MATERIAL FOR USE IN ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, THIN-FILM FORMING RAW MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THIN-FILM, AND COMPOUND

  摘要：

  本发明提供了一种薄膜形成原料，用于原子层沉积方法，包括由以下一般式（1）表示的化合物：其中R1至R4分别独立表示具有1至5个碳原子的烷基基团，A1表示具有1至5个碳原子的烷二基基团。

  公开号：

  US20210340162A1

文献信息

• Synthese, Röntgenstrukturanalyse und Multikern-NMR-spektroskopische Untersuchung einiger intramolekular stickstoffstabilisierter Bor-, Aluminium- und Galliumorganyle
  作者：Herbert Schumann、Birgit C. Wassermann、Stefan Schutte、Bernd Heymer、Siegbert Nickel、Thomas D. Seuß、Sonja Wernik、Jörg Demtschuk、Frank Girgsdies、Roman Weimann

  DOI：10.1002/1521-3749(200010)626:10<2081::aid-zaac2081>3.0.co;2-8

  日期：2000.10

  intramolekular stickstoffstabilisierten Organoaluminium- und Organoborverbindungen Me2Al- (CH2)3NMe2 (1), Me2AlC10H6-8-NMe2 (2), iPr2Al(CH2)3NEt2 (3), (CH2)5Al(CH2)3NMe2 (4) und (CH2)5B(CH2)3NMe2 (5) werden aus Me2AlCl und den entsprechenden Lithiumorganylen bzw. aus AlCl3 oder BCl3, dem Lithiumalkyl und iPrMgCl oder BrMg(CH2)5MgBr erhalten. AlCl3 und GaCl3 reagieren mit LiCH2CHMeCH2NMe2 bzw. Li(CH2)3NMe2

  分子内粘着稳定剂有机铝-和有机硼结合剂 Me2Al- (CH2)3NMe2 (1), Me2AlC10H6-8-NMe2 (2), iPr2Al( )3NEt2 (3), ( )5Al( )3NMe2 (24) 5B( )3NMe2 (5) werden aus Me2AlCl 和 densprechenden Lithiumorganylen bzw。aus AlCl3 或 BCl3, dem 烷基锂和 iPrMgCl 或 BrMg( )5MgBr erhalten。 和 GaCl3 反应器 mit Li CHMe NMe2 bzw。Li( )3NMe2 在 Bildung von Cl2Al CHMe NMe2 (6) bzw 下。Cl2Al( )3NMe2 (8) 和 Cl2Ga( )3NMe2 (9)。北德Umsetzung
• Synthesis and Structures of (N3)2Ga[(CH2)3NMe2], (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 and (N3)3Ga(NR3) (R = CH3, C2H5)
  作者：Anjana Devi、Harald Sussek、Hans Pritzkow、Manuela Winter、Roland A. Fischer

  DOI：10.1002/(sici)1099-0682(199912)1999:12<2127::aid-ejic2127>3.0.co;2-n

  日期：1999.12

  The synthesis, properties and X-ray single crystal structure analysis of the intramolecularly adduct-stabilised organogallium bisazide (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] (1), the mono azide (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 (2) and the trialkylamine adducts of triazidogallium of the type (N3)3Ga(NR3) (3a–d; R = alkyl) are reported. An unusual isomer 1b of compound 1 is described, which was obtained by slow cooling of the analytically

  分子内加合物稳定的有机镓双叠氮化物 (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] (1)、单叠氮化物 (N3)Ga[( )3NMe2]2 (2) 的合成、性质和 X 射线单晶结构分析) 和 (N3)3Ga(NR3)（3a-d；R = 烷基）类型的三叠氮镓的三烷基胺加合物。描述了化合物 1 的一种不寻常的异构体 1b，它是通过将分析纯的纯液体化合物 1 缓慢冷却至 0 °C 获得的。新的和不寻常的结构 1b 可以被视为通过头对尾叠氮桥连接在一起的二聚体的弱缔合。相比之下，化合物 2 和 3a-b（R = CH3，C2H5）在固态下是单体。比较了挥发性化合物 1 和 2 作为单源前体通过化学气相沉积生长 GaN 薄膜的适用性，表明可以在 600-700°C 真空（0.1 Pa）下从蓝宝石衬底上的化合物 2 获得优先取向的晶体薄膜。然而，薄膜具有灰色而不是透明的外观，这可能是由于单分子前体 2 的
• Matrix isolation of HGaX2 (X = Cl or Br): IR spectroscopy and ab initio calculations
  作者：Jens Müller、Henning Sternkicker

  DOI：10.1039/a905183j

  日期：——

  High-vacuum thermolyses of the intramolecularly co-ordinated gallanes Me2N(CH2)3GaX2 with X = Cl 1 or Br 2 were investigated with matrix isolation techniques. Among the products, which have been identified with IR spectroscopy, ab initio calculations, and known literature data, are monomeric HGaCl2 and HGaBr2. The experimental vibrational frequencies of these hydrides are compared with calculated harmonic

  用基质分离技术研究了分子内配位的加仑烷烃Me 2 N（CH 2）3 GaX 2与X = Cl 1或Br 2的高真空热解。单体HGaCl 2和HGaBr 2已通过红外光谱法，从头算计算和已知文献数据鉴定出。将这些氢化物的实验振动频率与理论上的MP2（fc）/ 6-311 + G（2d，p）和B3LYP / 6-311 + G（2d，p）的谐波频率进行比较。除了单体HGaX 2之外，热解实验的氩气基质还包含CH 4，HCN，H 2。C CH 2，H 2 C NMe，[H 2 CCHCH 2 ] 3，H 2 C CHCH 3，HX和GaX（X = Cl或Br）。在GaBr的情况下，借助于SCRF-B3LYP计算，讨论并解释了已知气相值与氩气矩阵中测得的IR频率之间的差异。
• First volatile alkylgallyl manganese complexes; structure of [(CO₅)Mn]₂Ga[(CH₂)₃NMe₂]. Molecular control of the stoichiometry of Mn–Ga thin films grown by low-pressure MOCVD
  作者：Roland A. Fischer、Alexander Miehr、Markus M. Schulte、Eberhardt Herdtweck

  DOI：10.1039/c39950000337

  日期：——

  The Mn–Ga complexes of the general formula L(CO)4Mn}a[GaR3–a(Do)](L = CO, R = alkyl; Do =N-Lewis-donor) are obtained in yields 90% and used as volatile single source precursors for the gas-phase deposition of thin Mn–Ga alloy films.

  通式为L(CO)4Mn}a[GaR3âa(Do)]（L = CO，R = 烷基；Do = N-刘易斯-捐献者）的锰镓配合物的产量为 90%，可用作气相沉积锰镓合金薄膜的挥发性单源前体。
• The first volatile Di(organogallio) transition metal carbonylates: cis-(CO)4Fe{Ga[(CH2)3NMe2](R)}2 (RtBu or C6H5), Precursors for Gallium rich thin FeGa alloy films
  作者：Roland A. Fischer、Markus M. Schulte、Thomas Priermeier

  DOI：10.1016/0022-328x(94)05349-g

  日期：1995.5

  synthesized in high yields by the reaction of [(CO)4Fe]K2 with the mixed alkylated and intramolecularly base stabilized organo gallium chlorides ClGa[(CH2)3NMe2](R). The new compounds were characterized by elemental analysis, IR, NMR and mass spectrometry. Compound 1a sublimes without decomposition and served as a gallium-rich single-source precursor to deposit remarkably pure gallium-rich Fe1Ga2−x (x ⩽ 0

  顺式- （CO）4的Fe GA [（CH 2）3 NME 2 ]（R）} 2（R吨BU（1A）或C 6 H ^ 5（图1b）），以前未知的过渡金属镓的第一实施例该类型的复合物[L（CO）ñ M] [GAR 2（DO）]一（一> 1），表现出镓到过渡金属比，已经以高收率通过[反应，合成（CO ）4 Fe] K 2与混合的烷基化分子内碱稳定的有机氯化镓ClGa [（CH 2）3 NMe 2 ]（R）。通过元素分析，IR，NMR和质谱对新化合物进行了表征。化合物1a中不分解升华并用作富镓单一来源前体以沉积显着纯镓富含Fe的1镓2- X（X ⩽0.1）薄膜的低压有机金属化学气相沉积在非常低的温度（约200°C; 0.1 Pa）。