我们报告了三甲基
硅烷Si(CH 3)3 X的分子结构,其中的取代基X为(Z)-五
氟丙烯-1-基,三
氟丙炔-1-基,五
氟乙基,
三氟乙烯基,
乙烯基,
丙炔-1-基,二
氯和三
氯甲基,显示出不同强度的电子吸收效应。X的
硅和碳原子之间的键的长度与各个轨道的杂化和X的空间需求相关,而不与电子吸收能力相关。在
氯化取代基的情况下,分散效应似乎会缩短Si-C键。此外,还有一种从致冷剂
2,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234yf)和n生成三
氟丙炔-1-基
锂的途径描述了丁基
锂。四
氟丙烯-1-基
锂在-80°C时缓慢形成,但即使在此温度下,也会自发消除
LiF。所形成的3,3,3-三
氟丙炔的去质子化需要高于-60°C的温度,从而导致三
氟丙炔-1-基
锂在室温下相对稳定。