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2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b′]dithiophene | 1312613-93-6

中文名称
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中文别名
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英文名称
2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b′]dithiophene
英文别名
2,7-Bis(3-dodecylthiophen-2-yl)-[1]benzothiolo[7,6-g][1]benzothiole;2,7-bis(3-dodecylthiophen-2-yl)-[1]benzothiolo[7,6-g][1]benzothiole
2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b′]dithiophene化学式
CAS
1312613-93-6
化学式
C46H60S4
mdl
——
分子量
741.246
InChiKey
UMJIVYPMFUVPDP-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    20.4
  • 重原子数:
    50
  • 可旋转键数:
    24
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.52
  • 拓扑面积:
    113
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b′]dithiophene三甲基氯化锡正丁基锂 作用下, 以 四氢呋喃正己烷 为溶剂, 反应 1.5h, 以90%的产率得到2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b']dithiophene distannane
    参考文献:
    名称:
    高性能有机场效应晶体管角形萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃-二酮吡咯并吡咯共聚物的合成与表征
    摘要:
    我们通过引入萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃(NDF3)或以烷基噻吩基作为供体单元桥接的NDF3。与PNDF3-T-DPP相比,在PNDF3-BT-DPP中掺入短的π-共轭噻吩间隔基会形成“波状”分子主链,从而导致较差的有序结构和较低的电荷载流子迁移率。薄膜,尽管改善了溶解度和可加工性。另一方面,通过用硫类似物取代NDF3,萘[1,2- b ; 5,6- b']二噻吩(NDT3),所得的基于NDT3的聚合物具有较差的溶解度和扭曲的空间结构,从而导致较低的空穴迁移率。相反,当在有机场效应晶体管(OFET)器件中用作有源层时,PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP表现出出色的空穴迁移率。即使不进行热退火,PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP的最高空穴迁移率也分别达到0.24和0.11 cm 2 V –1 s –1。更高的空穴迁移率,最高可达0.56和0.35
    DOI:
    10.1021/ma402107n
  • 作为产物:
    描述:
    萘并[1,2-b:5,6-b']二噻吩正丁基锂 、 trans-bis(triphenylphosphine)palladium dichloride 作用下, 以 四氢呋喃正己烷氯苯 为溶剂, 反应 25.5h, 生成 2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b′]dithiophene
    参考文献:
    名称:
    高性能有机场效应晶体管角形萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃-二酮吡咯并吡咯共聚物的合成与表征
    摘要:
    我们通过引入萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃(NDF3)或以烷基噻吩基作为供体单元桥接的NDF3。与PNDF3-T-DPP相比,在PNDF3-BT-DPP中掺入短的π-共轭噻吩间隔基会形成“波状”分子主链,从而导致较差的有序结构和较低的电荷载流子迁移率。薄膜,尽管改善了溶解度和可加工性。另一方面,通过用硫类似物取代NDF3,萘[1,2- b ; 5,6- b']二噻吩(NDT3),所得的基于NDT3的聚合物具有较差的溶解度和扭曲的空间结构,从而导致较低的空穴迁移率。相反,当在有机场效应晶体管(OFET)器件中用作有源层时,PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP表现出出色的空穴迁移率。即使不进行热退火,PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP的最高空穴迁移率也分别达到0.24和0.11 cm 2 V –1 s –1。更高的空穴迁移率,最高可达0.56和0.35
    DOI:
    10.1021/ma402107n
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文献信息

  • POLYMER COMPOUND, AND THIN FILM AND INK COMPOSITION EACH CONTAINING SAME
    申请人:Taki Kazuo
    公开号:US20120305899A1
    公开(公告)日:2012-12-06
    An object of the present invention is to provide a polymer compound providing high charge mobility. The polymer compound of the present invention has a repeating unit represented by the formula ( 1 ): wherein Ar 1 and Ar 2 are each an aromatic hydrocarbon ring, a heterocycle, or a fused ring of an aromatic hydrocarbon ring and a heterocycle; and R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, a substituted silyl group, an unsubstituted or substituted carboxyl group, a monovalent heterocyclic group, a cyano group or a fluorine atom.
  • US8921836B2
    申请人:——
    公开号:US8921836B2
    公开(公告)日:2014-12-30
  • Synthesis and Characterization of Angular-Shaped Naphtho[1,2-<i>b</i>;5,6-<i>b</i>′]difuran–Diketopyrrolopyrrole-Containing Copolymers for High-Performance Organic Field-Effect Transistors
    作者:Shaowei Shi、Xiaodong Xie、Chen Gao、Keli Shi、Song Chen、Gui Yu、Longhai Guo、Xiaoyu Li、Haiqiao Wang
    DOI:10.1021/ma402107n
    日期:2014.1.28
    We reported the synthesis, characterization, and field-effect transistor properties of two diketopyrrolopyrrole (DPP)-based π-conjugated copolymers PNDF3-T-DPP and PNDF3-BT-DPP by introducing naphtho[1,2-b;5,6-b′]difuran (NDF3) or NDF3 bridged with alkylthienyl as the donor unit. Compared with PNDF3-T-DPP, the incorporation of a short π-conjugated thiophene spacer into PNDF3-BT-DPP resulted in a “wave”
    我们通过引入萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃(NDF3)或以烷基噻吩基作为供体单元桥接的NDF3。与PNDF3-T-DPP相比,在PNDF3-BT-DPP中掺入短的π-共轭噻吩间隔基会形成“波状”分子主链,从而导致较差的有序结构和较低的电荷载流子迁移率。薄膜,尽管改善了溶解度和可加工性。另一方面,通过用硫类似物取代NDF3,萘[1,2- b ; 5,6- b']二噻吩(NDT3),所得的基于NDT3的聚合物具有较差的溶解度和扭曲的空间结构,从而导致较低的空穴迁移率。相反,当在有机场效应晶体管(OFET)器件中用作有源层时,PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP表现出出色的空穴迁移率。即使不进行热退火,PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP的最高空穴迁移率也分别达到0.24和0.11 cm 2 V –1 s –1。更高的空穴迁移率,最高可达0.56和0.35
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