본 발명은 원자층 증착(ALD : Atomic Layer Deposition) 및 화학적 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 이용되는 전구체(Precursor) 중, 자가 제한적 반응(Self-limiting reaction)에 사용되는 전구체(Precursor)를 구성하는 리간드 유기화합물 화학식 1 화합물과 화학식 2 화합물 [화학식 1] [화학식 2] 를 고순도, 고효율로 유기 용매를 사용하지 않고 자연 친화적인 방법으로 수용액에서 제조할 수 있는 제조방법에 관한 것이다.
申请人:LPN Inc 주식회사 엘피엔(120160869447) Corp. No ▼ 134811-0251596BRN ▼135-86-26047
公开号:KR20180054180A
公开(公告)日:2018-05-24
본 발명은 원자층 증착(ALD : Atomic Layer Deposition) 또는 화학적 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition) 공정에 이용되는 자가 제한적 반응(Self-limiting reaction)에 사용되는 금속 전구체(Metal Precursor)를 구성하는 리간드 화합물인 화학식 3의 싸이클로펜타디엔일에칠메칠아민(이하 CpEMA) 또는 하기 화학식 4의 싸이클로펜타디엔일프로필메칠아민(이하 CpPMA)을 제조하기 위한 중간체인 신규한 하기 화학식 1의싸이클로펜타디엔일에칠메칠아민 옥살산염 또는 화학식 2의 싸이클로펜타디엔일프로필메칠아민 옥살산염 및 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물을 중간체로 하여 화학식 3 화합물 및 화학식 4 화합물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명은 원자층 증착(ALD : Atomic Layer Deposition) 또는 화학적 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition) 공정에 이용되는 전구체(Precursor) 중, 자가 제한적 반응(Self-limiting reaction)에 사용되는 전구체(Precursor)를 구성하는 싸이클로펜타디엔일 유도체를 신규한 중간체를 이용하여 고순도로 간편하고 용이하게 제조하는 방법을 제공한다.