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5,11-bis(methylthio)tetracene | 1309982-85-1

中文名称
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中文别名
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英文名称
5,11-bis(methylthio)tetracene
英文别名
5,11-bis(methylsulfanyl)tetracene
5,11-bis(methylthio)tetracene化学式
CAS
1309982-85-1
化学式
C20H16S2
mdl
——
分子量
320.479
InChiKey
UHRJQMZHFZMDPA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.7
  • 重原子数:
    22
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.1
  • 拓扑面积:
    50.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    5,11-bis(methylthio)tetracene氧气 作用下, 以 二氯甲烷-D2 为溶剂, 生成 5,11-bis(methylthio)-5,12-dihydro-5,12-epidioxytetracene
    参考文献:
    名称:
    双(甲硫基)四烷酮:合成,晶体包装结构和OFET特性
    摘要:
    合成了5,12-双(甲硫基)并四苯(2)和5,11-双(甲硫基)并四苯(3)。DFT计算表明,相对于并四苯,HOMO和LUMO的2和3能级降低了0.13-0.24 eV,它们的HOMO-LUMO能隙降低了0.1 eV。X射线晶体学数据表明,2是由于一维滑动面π堆积而具有S–S和S-π相互作用而排列的,类似于6,13-​​双(甲硫基)并五苯的堆积排列(1),而3则显示出人字形的排列方式,而没有S–S相互作用。使用可溶1和1的旋涂膜制造的OFET器件2,具有底接触装置的配置,展出空穴迁移率高达1.3×10 -2和4.0×10 -2厘米2 V -1小号-1与当前的开/关的10比5和10 4分别。
    DOI:
    10.1021/jo200696a
  • 作为产物:
    描述:
    二甲基二硫5,12-dibromonaphthacene5,11-dibromotetracene正丁基锂 作用下, 以 乙醚正戊烷 为溶剂, 反应 1.0h, 以35%的产率得到5,11-bis(methylthio)tetracene
    参考文献:
    名称:
    双(甲硫基)四烷酮:合成,晶体包装结构和OFET特性
    摘要:
    合成了5,12-双(甲硫基)并四苯(2)和5,11-双(甲硫基)并四苯(3)。DFT计算表明,相对于并四苯,HOMO和LUMO的2和3能级降低了0.13-0.24 eV,它们的HOMO-LUMO能隙降低了0.1 eV。X射线晶体学数据表明,2是由于一维滑动面π堆积而具有S–S和S-π相互作用而排列的,类似于6,13-​​双(甲硫基)并五苯的堆积排列(1),而3则显示出人字形的排列方式,而没有S–S相互作用。使用可溶1和1的旋涂膜制造的OFET器件2,具有底接触装置的配置,展出空穴迁移率高达1.3×10 -2和4.0×10 -2厘米2 V -1小号-1与当前的开/关的10比5和10 4分别。
    DOI:
    10.1021/jo200696a
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文献信息

  • Bis(methylthio)tetracenes: Synthesis, Crystal-Packing Structures, and OFET Properties
    作者:Takakazu Kimoto、Kenro Tanaka、Masatoshi Kawahata、Kentaro Yamaguchi、Saika Otsubo、Yoshimasa Sakai、Yuuki Ono、Akira Ohno、Kenji Kobayashi
    DOI:10.1021/jo200696a
    日期:2011.6.17
    5,12-Bis(methylthio)tetracene (2) and 5,11-bis(methylthio)tetracene (3) were synthesized. DFT calculations indicate that the HOMO and LUMO energy levels of 2 and 3 are lowered by 0.13–0.24 eV and their HOMO–LUMO energy gaps are reduced by 0.1 eV relative to those of tetracene. X-ray crystallographic data revealed that 2 is arranged as a result of a 1-D slipped-cofacial π-stacking with S–S and S−π interactions
    合成了5,12-双(甲硫基)并四苯(2)和5,11-双(甲硫基)并四苯(3)。DFT计算表明,相对于并四苯,HOMO和LUMO的2和3能级降低了0.13-0.24 eV,它们的HOMO-LUMO能隙降低了0.1 eV。X射线晶体学数据表明,2是由于一维滑动面π堆积而具有S–S和S-π相互作用而排列的,类似于6,13-​​双(甲硫基)并五苯的堆积排列(1),而3则显示出人字形的排列方式,而没有S–S相互作用。使用可溶1和1的旋涂膜制造的OFET器件2,具有底接触装置的配置,展出空穴迁移率高达1.3×10 -2和4.0×10 -2厘米2 V -1小号-1与当前的开/关的10比5和10 4分别。
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