高价
金属氧代络合物是烷基 C-H 键活化和羟基化的原型中间体。用其他官能团取代氧代
配体提供了在 C-O 键形成之外进行额外 C-H 官能化的机会。然而,除了
金属氧代络合物外,很少有物种被报道既能激活烷基 C-H 键又能使烷基 C-H 键功能化。我们在此报告了第一个分离的
铜 ( III )
氰化物络合物 ( L Cu III CN) 及其 C-H
氰化反应性的例子。我们发现氧化还原电位 ( E ox) 的底物,而不是 C-H 键解离能,是 PCET 速率的关键决定因素,表明氧化异步
CPET 或 E
TPT 机制。在具有相同 BDE 的底物中,那些具有低氧化还原电位的底物转移 H 原子的速度高达一百万倍。利用这种机制洞察力,我们发现L Cu III CN 对胺的
氰化具有高度选择性,胺易于氧化异步或逐步转移 H + /e -。我们的研究表明,PCET 的异步效应是一种用于控制 C-H 官能化选择性的有吸引力的工具。