METAL ALKOXIDE COMPOUND, THIN-FILM-FORMING RAW MATERIAL, AND THIN FILM PRODUCTION METHOD
                        
                            
                                申请人:Adeka Corporation
                            
                            
                                公开号:EP3677585A1
                            
                            
                                公开(公告)日:2020-07-08
                            
                            
The present invention provides a metal alkoxide compound represented by the following general formula (1), a thin-film-forming raw material containing the same, and a thin film production method of forming a metal-containing thin film using the raw material:
wherein R1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R2 represents an isopropyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a sec-pentyl group, a 1-ethylpropyl group or a tert-pentyl group, R3 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, M represents a scandium atom, an yttrium atom, a lanthanum atom, a cerium atom, a praseodymium atom, a neodymium atom, a promethium atom, a samarium atom, a europium atom, a gadolinium atom, a terbium atom, a dysprosium atom, a holmium atom, an erbium atom, a thulium atom, an ytterbium atom or a lutetium atom, and n represents the valence of the atom represented by M; here, when M is a lanthanum atom, R2 is a sec-butyl group, a tert-butyl group, a sec-pentyl group, a 1-ethylpropyl group or a tert-pentyl group.
                            本发明提供了一种由以下通式(1)表示的
金属氧化烷化合物、一种含有该化合物的薄膜形成原料,以及一种使用该原料形成含
金属薄膜的薄膜生产方法:
其中 R1 代表氢原子或具有 1 至 4 个碳原子的烷基,R2 代表异丙基、仲丁基、叔丁基、仲戊基、1-乙基丙基或叔戊基,R3 代表氢原子或具有 1 至 4 个碳原子的烷基,R4 代表具有 1 至 4 个碳原子的烷基、M 代表
钪原子、
钇原子、
镧原子、
铈原子、
镨原子、
钕原子、
钷原子、
钐原子、铕原子、
钆原子、
铽原子、
镝原子、
钬原子、
铒原子、
铥原子、
镱原子或
镥原子,n 代表 M 所代表原子的化合价;这里,当 M 是
镧原子时,R2 是仲丁基、叔丁基、仲戊基、1-乙基丙基或叔戊基。