7-硫杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸 | 260543-80-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 硫杂环戊烷
• 中文名称: 7-硫杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸
• 英文名称: 7-Thiabicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylic acid
• CAS: 260543-80-4
• 化学式: C₇H₈O₂S
• 分子量: 156.2
• InChiKey: BBQXISYTUZDKQI-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  335.5±42.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.416±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.8
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.57
• 拓扑面积：
  62.6
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  丙烯酸 、 噻吩 、 四氢呋喃 在 丙烯酸 作用下， 反应 24.0h， 以to obtain pure 7-thiabicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylic acid of Chemical Formula 142 (yield: 80%)的产率得到7-硫杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸
  参考文献：
  名称：

  Monomers for photoresist, polymers thereof, and photoresist compositions using the same

  摘要：

  本发明涉及用于制备光刻聚合物的新单体、其聚合物以及使用它们的光刻组合物。该发明的单体由以下化学式1表示：其中，X和Y分别表示氧、硫、CH2或CH2CH2；n是1到5的整数；R1、R2、R3和R4分别表示氢、具有主链或支链上取代基的C1-C10烷基、具有主链或支链上取代基的C1-C10酯、具有主链或支链上取代基的C1-C10酮、具有主链或支链上取代基的C1-C10羧酸、具有主链或支链上取代基的C1-C10缩醛、具有主链或支链上取代基的C1-C10烷基、包括一个或多个羟基的主链或支链上取代基的C1-C10酯、包括一个或多个羟基的主链或支链上取代基的C1-C10酮、包括一个或多个羟基的主链或支链上取代基的C1-C10羧酸、或包括一个或多个羟基的主链或支链上取代基的C1-C10缩醛；但至少有R1到R4中的一个表示- COO-R′-OH，其中R′是具有或不具有取代基的线性或支链烷基。根据本发明的聚合物优选包括（i）化学式1的单体作为第一共聚单体，（ii）具有一种或多种酸敏保护基的多环衍生物作为第二共聚单体，以及（iii）至少一种聚合增效单体，优选选自马来酸酐、马来酰亚胺衍生物及其组合物。为了提高光敏度，还优选将具有一种或多种羧酸基的多环衍生物作为附加共聚单体加入到光刻共聚物中。

  公开号：

  US06291131B1

文献信息

• HIGH ETCH RESISTANT UNDERLAYER COMPOSITIONS FOR MULTILAYER LITHOGRAPHIC PROCESSES
  申请人：De Binod B.

  公开号：US20080206667A1

  公开（公告）日：2008-08-28

  An etch resistant thermally curable Underlayer for use in a multiplayer liyhographic process to produce a photolithographic bilayer coated substrate, the composition having: (a) at least one cycloolefin polymer comprising at least one repeating unit of Structure (I), and at least one repeating unit of Structure (II), and optionally at least one repeating unit of Structure (III) with the proviso that neither Structure (I) nor Structure (II) nor Structure (III) contains acid sensitive groups. b) at least one cross-linking agent selected from the group consisting of an amino or phenolic cross-linking agent; c) a least one thermal acid generator (TAG); d) at lest one solvent; and e) optionally, at least one surfactant.
• THERMALLY CURED UNDERLAYER FOR LITHOGRAPHIC APPLICATION
  申请人：De Binod B.

  公开号：US20120178871A1

  公开（公告）日：2012-07-12

  An etch resistant thermally curable Underlayer composition for use in a multiplayer lithographic process for producing a photolithographic bilayer coated substrate, the composirion being a composition of: (a) a polymer comprising repeating units of Structure I, II and III (b) at least one crosslinking agent; (c) at least one thermal acid generator; and (d) at least one solvent.
• US6291131B1
  申请人：——

  公开号：US6291131B1

  公开（公告）日：2001-09-18
• US6372854B1
  申请人：——

  公开号：US6372854B1

  公开（公告）日：2002-04-16
• [EN] HIGH ETCH RESISTANT UNDERLAYER COMPOSITIONS FOR MULTILAYER LITHOGRAPHIC PROCESSES<br/>[FR] COMPOSITIONS POUR SOUS-COUCHES EXTRÊMEMENT RÉSISTANTES À LA CORROSION POUR PROCÉDÉS LITHOGRAPHIQUES MULTICOUCHES
  申请人：FUJIFILM ELECTRONIC MATERIALS

  公开号：WO2008140846A1

  公开（公告）日：2008-11-20

  [EN] An etch resistant thermally curable Underlayer for use in a multiplayer liyhographic process to produce a photolithographic bilayer coated substrate, the composition having: (a) at least one cycloolefin polymer comprising at least one repeating unit of Structure (I), and at least one repeating unit of Structure (II), and optionally at least one repeating unit of Structure (III) with the proviso that neither Structure (I) nor Structure (II) nor Structure (III) contains acid sensitive groups. b) at least one cross-linking agent selected from the group consisting of an amino or phenolic cross-linking agent; c) a least one thermal acid generator (TAG); d) at lest one solvent; and e) optionally, at least one surfactant.
  [FR] Cette invention a trait à une sous-couche vulcanisable par voie thermique résistante à la corrosion à utiliser dans un procédé lithographique multicouche pour produire un substrat recouvert d'une double couche photolithographique, ladite composition comportant : (a) au moins un polymère cyclooléfinique comportant au moins une unité répétée de structure (I), et au moins une unité répétée de structure (II), et éventuellement au moins une unité répétée de structure (III), à condition que ni la structure (I), ni la structure (II), ni la structure (III) ne contient de groupes sensibles à l'acide ; b) au moins un agent de réticulation choisi parmi le groupe constitué par un agent de réticulation amino ou phénolique ; c) au moins un générateur d'acide thermique ; d) au moins un solvant ; et e) éventuellement au moins un tensioactif.