Diphenyl-but-2-inyl-amin | 4282-81-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: Diphenyl-but-2-inyl-amin
• 英文别名: Butin-(2)-yl-diphenylamin；N-but-2-ynyl-N-phenylaniline
• CAS: 4282-81-9
• 化学式: C₁₆H₁₅N
• 分子量: 221.302
• InChiKey: PSRDRDYEYNBJBS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.2
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.12
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  二苯胺 、 1-氯-2-丁炔 生成 Diphenyl-but-2-inyl-amin
  参考文献：
  名称：

  Dumont,J.-L. et al., Bulletin de la Societe Chimique de France, 1967, p. 1197 - 1203

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor apparatus, method for forming organic film, patterning process, and polymer
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US11181821B2

  公开（公告）日：2021-11-23

  The invention provides a composition for forming an organic film, which generates no by-product even under such a film formation condition in an inert gas to prevent substrate corrosion, which is capable of forming an organic film not only excellent in properties of filling and planarizing a pattern formed on a substrate but also favorable for dry etching resistance during substrate processing, and further which causes no fluctuation in film thickness of the film due to thermal decomposition even when a CVD hard mask is formed on the organic film. The composition for forming an organic film includes (A) a polymer having a repeating unit shown by the following general formula (1) and (B) an organic solvent.

  本发明提供一种用于形成有机膜的组合物，即使在惰性气体中形成薄膜以防止基底腐蚀，也不会产生副产品。该组合物形成的有机膜不仅在填充和平面化基底上的图案方面表现出优异的特性，而且在基底处理过程中对干法刻蚀具有良好的抗性。此外，即使在有机膜上形成CVD硬掩膜时，该组合物也不会因热分解导致膜厚波动。 用于形成有机膜的组合物包括： (A) 具有由以下一般式(1)表示的重复单元的聚合物； (B) 有机溶剂。
• US7320993B1
  申请人：——

  公开号：US7320993B1

  公开（公告）日：2008-01-22
• Dumont,J.-L. et al., Bulletin de la Societe Chimique de France, 1967, p. 1197 - 1203
  作者：Dumont,J.-L. et al.

  DOI：——

  日期：——